分光エリプソメトリ解析に有用な非晶資材料の経験的誘電率関数
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概要
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広範な非晶質材料の広範なエネルギー領域に適用可能な、経験的複素誘電率関数の提案を行なう。この関数は、減衰調和振動子(DHO)によるものの積分で与えられる。横軸に光エネルギーを取ったとき、DHOの振幅分布関数が、上に凸の双曲線関数と、ピークの高エネルギー側の一点で、零に向かって接近する指数関数に滑らかに接続されている。a-Siとa-Si_3N_4の文献値によく適合することを示した後、真空蒸着とRFプラズマCVD法で作製したa-Si薄膜の分光エリプソメトリ解析結果に適用して有用性を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
青山 満
静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大学
-
山口 十六夫
静岡大学電子工学研究所
-
青山 満
静岡大学電子工学研究所技術部
-
兼子 勇一
静岡大学電子工学研究所
-
山口 十六夫
静岡大 電子工研
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