T1601-1-6 静電型MEMSオシレータの周波数ゆらぎに関する影響の考察(マイクロナノダイナミクスの計測と制御・マイクロナノメカトロニクス(1))
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概要
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Recently, the frequency fluctuation of MEMS oscillator is a problem. We consider that the influences of the thermal noise and the existence of the interface state cause the frequency fluctuations. Two types of charge fluctuations, interface state trap noise from Shockley-Read-Hall model generation and thermal noise generation, are able to simulate as the frequency fluctuation in MEMS oscillator, respectively. In this paper, based on a simple model of a parallel plate MEMS oscillator, two types of the frequency fluctuations theory and their width are demonstrated.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2009-09-12
著者
-
西森 勇貴
静岡大学 電子工学研究所
-
橋口 原
静岡大学
-
杉山 達彦
静岡大学
-
青山 満
静岡大学
-
西森 勇貴
BEANSプロジェクト
-
大磯 秀太
静岡大学
-
橋口 原
静岡大
-
大磯 秀太
静岡大
-
青山 満
静岡大学電子工学研究所
-
青山 満
静岡大
-
杉山 達彦
静岡大
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