新型光源への応用を目指した新しいグラファイトフィールドエミッタの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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新型光源への応用を目指し、新しいグラファイトフィールドエミッタと電子線透過膜を開発した。この光源は、フィールドエミッタ、電子線透過膜、ガスセルより構成される。グラファイトエミッタは、グラファイト基板を水素ガスでスパッタリングすることにより無数のナノ構造を形成して作製した。電子放出の閾値電界は約5V/μmであり、13V/μmでガス励起に十分な0.1mAの放射電流が得られた。電子線透過膜は、silicon-on-insulator(SOI)基板を用い、ドライ、ウェットエッチングプロセスにより作製した。電子線透過部は1.5μmのSi薄膜であり、27kVで約60%の電子線透過率が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-15
著者
-
高橋 将文
香川大
-
塩澤 一史
静岡大学電子工学研究所
-
山下 進
静岡大学電子工学研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
岡田 守弘
静岡大学電子工学研究所
-
久米 博
静岡大学電子工学研究所
-
知久 典和
池戸電気工事株式会社
-
池戸 智之
池戸電気工事株式会社
-
高橋 将文
香川大学工学部
-
橋口 原
香川大学工学部
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
橋口 原
静岡大学
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
-
山下 進
静岡大学・電子工学研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
久米 博
環境研
-
橋口 原
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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