シリコン電界電子放射陰極の放射電子のエネルギー分析(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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エミッタから放射された電子のエネルギーには、その起源に関する重要な情報が含まれており、放射電子のエネルギー分析は、電子放射機構を解明する上で極めて有用な手段である。本報告では、単一ティップのn型およびSi電界電子放射陰極から電界放射された電子のエネルギー分析について述べる。n型Siエミッタの場合、伝導帯から供給された電子がフェルミ準位近傍からエミッションされ、ゲート電圧の増加に伴い、表面または界面準位にトラップされた電子がエミッションに寄与してくる。一方、p型Siエミッタでは、エミッタ表面に空乏層が形成され、主に、Siの価電子帯から励起された電子が表面または界面準位を介してエミッションされると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-15
著者
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学大学院工学研究科
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
-
根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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