nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光パルス(波長405nm)を照射し、放射電流特性、光応答性等、電子放射への効果を調べた。レーザ照射により、しきい値電圧が低下すると共に、放射電流が約2桁増大した。放射電流の増加量は、入射光強度に対して線形を示した。パルス光の照射により、パルス周期・形状に応じたパルス状の放射電子ビームが得られた。
- 2012-11-12
著者
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
若家 富士夫
大阪大学極限量子科学研究センター
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
-
三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
若家 冨士男
大阪大学極限量子科学研究センター
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学工学部
-
高井 幹夫
大阪大学極限科学研究センター
-
Yamazaki Yuto
八戸工業大学工学部
-
根尾 陽一郎
八戸工業大学工学部
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