シリコン冷陰極からの光支援による電子放射(電子管と真空ナノエレクトロニクス)
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概要
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微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン(nc-Si)を用いたMOS冷陰極と極微ゲート孔構造Si-FEAの光応答性を波長633nmと405nmの光パルスを用いて評価した。Nc-Si MOS冷陰極からのエミッションは、ナノ秒オーダーの光応答性を有することが確認された。FEAにおいて、ゲート孔サイズを波長オーダーまで縮小することにより拡散電子の生成が抑制され、応答性が向上することを確認した。
- 2013-10-15
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
吉田 知也
産業技術総合研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
-
三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
-
根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
-
嶋脇 秀隆
八戸工業大学システム情報工学科・助教授
-
若家 冨士男
大阪大学極限量子科学研究センター
-
高井 幹夫
大阪大学極限科学研究センター
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