Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
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概要
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我々はSiフィールドエミッタアレイ(Si FEA)の大電流放出と寿命改善を目指し、その特性改善を行った。Si FEAに化学的に不活性かつ超高融点であるハフニウムカーバイド(HfC)を被覆し、その電子放出特性の測定を行った。HfCは誘導コイル付マグネトロンスパッタリングを用いて成膜した。エミッタ作製に先立ちHfC膜の特性評価をX線光電子分光、X線回折などで行いHfとCの結合状態と膜の配向性、結晶粒の大きさを確認した。さらに作製したHfC FEAの電流-電圧特性、寿命特性を測定し、動作エミッタ数の変化の有無を拡大投影を行うことで確認した。その結果、Si FEAの20倍以上の電子放出が可能であり、放出時間経過における放出電流減少が抑制され、動作エミッタ数も約6倍に増加したことを確認した。また、駆動電圧についても15V以上低電圧化することが可能となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
-
長尾 昌善
産業技術総合研究所
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所
-
山本 恵彦
独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門
-
佐藤 貴伸
筑波大学 物理工学系
-
山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
伊藤 順司
電子技術研究所
-
伊藤 順司
産業技術総合研究所
-
山本 恵彦
筑波大学物理工学系
-
佐藤 貴伸
筑波大学物理工学系
-
山本 恵彦
筑波大学・物理工学系
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
金丸 正剛
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
-
山内 洋美
産業技術総合研究所
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