動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMアレイにおいては、6トランジスタSRAMセルのパスゲートに閾値可変型FinFETを用いる。読出し動作においては、このパスゲートの閾値電圧は徐々に下げられ、センスアンプでデータが検出されると同時に初期値に戻される。この動的閾値制御によって、パスゲート閾値電圧が読出しの都度最適化され、読出し時間と読出し安定性のトレードオフがセル毎に最適化される。結果として、ランダムばらつきに対する耐性が大幅に向上し、スケーリングの進んだプロセスを用いてもシステムの動作電圧が低減可能となる。この技術は、微細化の進んだプロセスでの電源電圧低減に有効である。実験とシミュレーションによって効果を確認した結果、ゲート長20nmのLSTP(Low Standby Power)プロセスにおいて、0.5V動作時に2ns程度で読出し動作が可能であることが示唆された.
- 2011-04-11
著者
-
中川 格
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
遠藤 和彦
産業技術総合研究所
-
塚田 順一
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
遠藤 和彦
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
中川 格
独立行政法人産業技術総合研究所
-
関川 敏弘
独立行政法人産業技術総合研究所
-
坂本 邦博
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
柳 永〓
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
松川 貴
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
小池 汎平
産業技術総合研究所
-
関川 敏弘
産業技術総合研究所
-
山内 洋美
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
石川 由紀
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
塚田 順一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
坂本 邦博
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
柳 永勲
産業技術総合研究所
-
松川 貴
産業技術総合研究所
-
大内 真一
産業技術総合研究所
-
遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
松川 貴
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
山内 洋美
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
小池 汎平
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ
-
松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
-
松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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