松川 貴 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所

• 伊藤 順司

  電子技術研究所

• 伊藤 順司

  産業技術総合研究所

• 金丸 正剛

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 伊藤 順司

  電子技術総合研究所プロセス基礎研究室

• 金丸 正剛

  電子技術総合研究所

• 伊藤 順司

  電子技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 松川 貴

  電子技術総合研究所

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所

• 長尾 昌善

  産業技術総合研究所

• 中川 格

  産業技術総合研究所

• 佐藤 貴伸

  筑波大学 物理工学系

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小池 帆平

  産業技術総合研究所

• 坂井 秀男

  慶應義塾大学理工学研究科

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学研究科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学 理工学部 電子工学科

• 右田 真司

  産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所情報処理研究部門

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 亀井 貴弘

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 林田 哲郎

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部電気電子生命学科

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 小沢 健

  武蔵工業大学

• 佐長 裕

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 森田 行則

  産業技術総合研究所

• 昌原 明植

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 柳 永〓

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 松川 貴

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 佐長 裕

  産業技術総合研究所

• 徳永 和朗

  東海大学

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

• 山本 恵彦

  独立行政法人産業技術総合研究所 中央第2エレクトロニクス研究部門

• 鈴木 英一

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 小池 汎平

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 中川 格

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  独立行政法人産業技術総合研究所

• 田辺 尚雄

  大日本印刷(株)

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 山本 恵彦

  筑波大学物理工学系

• 小澤 健

  武蔵工業大学

• 佐藤 貴伸

  筑波大学物理工学系

• 鈴木 英一

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 山本 恵彦

  筑波大学・物理工学系

• 長尾 昌善

  電子技術総合研究所

• 山内 洋美

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 大内 真一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 太田 裕之

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永シュン

  産業技術総合研究所

• [オノ]田 博

  日新イオン機器株式会社

• 中島 良樹

  日新イオン機器株式会社

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著作論文

• メタルゲート FinFET 技術
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ
• HfC被覆ポリシリコンフィールドエミッタアレイ(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価
• コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• フレックス・パスゲートSRAMによる雑音余裕向上
• 縦型ダブルゲートMOSFETデバイス技術
• 表面改質によるシリコンフィールドエミッタの特性向上
• Siフィールドエミッタの表面改質による真空封止処理耐性の向上
• 真空マイクロエレクトロニクスの展望
• 真空マイクロエレクトロニクスの展望
• 電流制御型シリコンエミッタ
• 電流制御型シリコンエミッタ
• ナノメートル加工の応用(1) -真空マイクロエレクトリニクスへの応用-
• 立体マルチゲートデバイス集積化技術
• 動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
• Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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