太田 裕之 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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右田 真司
産業技術総合研究所
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森田 行則
産業技術総合研究所
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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水林 亘
産業技術総合研究所
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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昌原 明植
産業技術総合研究所
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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遠藤 和彦
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
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水林 亘
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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石川 由紀
産業技術総合研究所
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松川 貴
産業技術総合研究所
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大内 真一
産業技術総合研究所
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塚田 順一
産業技術総合研究所
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福田 浩一
産業技術総合研究所
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森 貴洋
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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山内 洋美
産業技術総合研究所
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高宮 真
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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坂巻 和男
産業技術総合研究所
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熊 四輩
産業技術総合研究所
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垂井 康夫
産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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右田 真司
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
日本プレシジョンサーキッツ(株)
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熊 四輩
電子技術総合研究所
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太田 裕之
電子技術総合研究所
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垂井 康夫
電子技術総合研究所
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酒井 滋樹
電子技術総合研究所
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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坂巻 和男
産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社
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山内 洋美
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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更田 裕司
東京大学
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大内 真一
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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柳 永勲
産業技術総合研究所
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遠藤 和彦
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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柳 永〓
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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松川 貴
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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太田 裕之
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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水林 亘
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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田邊 顕人
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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安田 哲二
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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石川 由紀
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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昌原 明植
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門 グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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昌原 明植
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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森 貴洋
産業技術総合研究所グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
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吉岡 和顕
東京大学
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遠藤 和彦
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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山内 洋美
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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松川 貴
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
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柳 永〓
産業技術総合研究所
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[オノ]田 博
日新イオン機器株式会社
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中島 良樹
日新イオン機器株式会社
著作論文
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
- 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
- エピタキシャルNiSi_2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO_2換算膜厚を持つ high-k (k=40) HfO_2 ゲートスタックの形成
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- C-12-37 トンネルFETを用いたSRAMにおけるマージン改善手法の提案(メモリ及びデバイス・回路強調設計技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))