安田 哲二 | 産業技術総合研究所

スポンサーリンク

概要

• 安田 哲二の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 産業技術総合研究所の論文著者

関連著者

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 八百 隆文

  東北大金材研

• 三輪 司郎

  Jrcat-atp

• 安田 哲二

  Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研

• 大竹 晃浩

  JRCAT-ATP

• 安田 哲二

  Jrcat-nair

• 木村 康三

  アトムテクノロジー研究体

• 郭 立信

  アトムテクノロジー研究体

• 八百 隆文

  JRCAT-NAIR

• 花田 貴

  東北大金研

• 石田 興太郎

  東理大理工

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 高瀬 文

  東理大理工

• 栗林 勝

  東理大理工

• Kuo Li-hsin

  JRCA-ATP

• 安田 哲二

  JRCA-ATP

• 八百 隆文

  JRCA-NAIR

• 石田 興太郎

  理科大

• 栗林 勝

  理学電機(株)

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター

• 花田 貴

  JRCAT-NAIR

• 尾関 雅志

  JRCAT-ATP

• 郭 立信

  JRCAT-ATP

• 木村 康三

  JRCAT-ATP

• 三輪 司郎

  アトムテクノロジー研究体

• 安田 哲二

  アトムテクノロジー研究体

• 大竹 晃浩

  アトムテクノロジー研究体

• 八百 隆文

  アトムテクノロジー研究体

• 花田 貴

  東北大学金属材料研究所

• 尾関 雅志

  JRCAT

• 山田 永

  住友化学(株)筑波研究所

• 加藤 弘之

  神戸大学大学院経済学研究科

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構量子ドットセンター

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学 大学院工学研究科

• 木村 健二

  京都大学 大学院工学研究科

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 古宮 聡

  富士通

• 竹中 充

  東京大学 先端科学技術研究センタ

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 新江 定憲

  横国大工

• 豊島 弘明

  横国大工

• 右田 真司

  産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 寺岡 有殿

  原研

• 松本 卓三

  東理大理工

• 古宮 聡

  富士通研究所

• 侘美 克彦

  東理大理工

• 木村 康三

  JRCA-ATP

• 三輪 司郎

  JRCA-NAIR

• 石田 興太郎

  東理大・理

• 石田 興太郎

  東大・教養

• 板谷 太郎

  産業技術総合研究所

• 竹中 充

  東京大学

• 高木 信一

  東京大学

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 田邊 顕人

  半導体MIRAI-ASET

• 小村 琢治

  Jrcat-nair

• 横山 正史

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 金 成国

  JRCAT-NAIR

• 大竹 晃浩

  JRCA-ATP

• 富田 博文

  富士通研究所

• 宮田 典幸

  産業技術総合研究所

• 卜部 友二

  産業技術総合研究所

• 石井 裕之

  産業技術総合研究所

• 前田 辰郎

  産業技術総合研究所

• 福原 昇

  住友化学

• 星井 拓也

  東京大学

• 吉越 章隆

  原研 放射光科学研セ

• 森本 真弘

  横国大工

• 横山 正史

  東京大学

• 石田 興太郎

  東京理科大学理工学部物理学科

• 井上 慧

  横国大工

• 藤代 博記

  東京理科大学

• 森田 行則

  産業技術総合研究所

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 森本 真弘

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 大野 真也

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 木村 健二

  京都大学

• 山田 永

  住友化学

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構

• 井上 慧

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 新江 定憲

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 豊島 弘明

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 尾形 祥一

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 小倉 睦郎

  産業技術総合研

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所放射光科学研究センター

• 福田 浩一

  産業技術総合研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 新江 定憲

  横国大院工

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森 貴洋

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 田邊 顕人

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 前田 辰郎

  東京理科大学大学院:産業技術総合研究所

• 後藤 高寛

  東京理科大学大学院

• 藤川 紗千恵

  東京理科大学大学院

• 藤川 紗千恵

  東京理科大学

• 後藤 高寛

  東京理科大学大学院:産業技術総合研究所

• 藤代 博記

  東京理科大学大学院

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

もっと見る 閉じる

著作論文

• X線非対称反射を用いたZnSe/GaAsの膜厚精密決定
• 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
• 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
• 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
• ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
• 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
• 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
• 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
• 2a-YF-13 X線反射率測定によるMBE-ZnSe/GaAs(001)ヘテロ界面の評価
• High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
• 反射率差振動を利用したシリコン酸化層数のその場計測
• Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク