大竹 晃浩 | JRCAT-ATP

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概要

• 同名の論文著者
• JRCAT-ATPの論文著者

関連著者

• 大竹 晃浩

  JRCAT-ATP

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 安田 哲二

  Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 安田 哲二

  Jrcat-nair

• 八百 隆文

  東北大金材研

• 八百 隆文

  JRCAT-NAIR

• 尾関 雅志

  JRCAT-ATP

• 尾関 雅志

  JRCAT

• 三輪 司郎

  Jrcat-atp

• 花田 貴

  東北大金研

• 木村 康三

  アトムテクノロジー研究体

• 郭 立信

  アトムテクノロジー研究体

• 花田 貴

  JRCAT-NAIR

• 郭 立信

  JRCAT-ATP

• 木村 康三

  JRCAT-ATP

• 花田 貴

  東北大学金属材料研究所

• 大竹 晃浩

  物材機構

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構

• 大竹 晃浩

  独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学 大学院工学研究科

• 木村 健二

  京都大学 大学院工学研究科

• 小村 琢治

  Jrcat-nair

• 金 成国

  JRCAT-NAIR

• 木村 健二

  京都大学

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著作論文

• 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
• 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
• 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
• 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
• 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
• 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
• 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
• 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価

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