19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_<1-x>Asの層状成長
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
大竹 晃浩
JRCAT-ATP
-
尾関 雅志
JRCAT-ATP
-
大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
-
安田 哲二
産業技術総合研究所
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
尾関 雅志
JRCAT
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