安田 哲二 | Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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概要
関連著者
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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安田 哲二
Jrcat-nair
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
JRCAT-ATP
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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八百 隆文
東北大金材研
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八百 隆文
JRCAT-NAIR
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三輪 司郎
Jrcat-atp
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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花田 貴
東北大金研
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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木村 康三
アトムテクノロジー研究体
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郭 立信
アトムテクノロジー研究体
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西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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花田 貴
JRCAT-NAIR
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尾関 雅志
JRCAT-ATP
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郭 立信
JRCAT-ATP
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木村 康三
JRCAT-ATP
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西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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西澤 正泰
JRCAT-産総研
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花田 貴
東北大学金属材料研究所
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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尾関 雅志
JRCAT
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木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学 大学院工学研究科
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木村 健二
京都大学 大学院工学研究科
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鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
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三木 一司
物材機構
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篠原 正典
長崎大学
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三木 一司
電総研
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篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
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小村 琢治
Jrcat-nair
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金 成国
JRCAT-NAIR
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三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
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三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
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三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
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三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
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三木 一司
ナノテク部門-産総研
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篠原 正典
東北大電通研
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鎌倉 望
東北大電通研
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木村 康男
東北大電通研
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庭野 道夫
東北大電通研
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篠原 正典
東北大学電気通信研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
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木村 健二
京都大学
著作論文
- 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果