山崎 聡 | Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
-
山崎 聡
産総研ナノテク部門
-
山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
-
磯谷 順一
筑波大図情
-
山崎 聡
JRCAT-融合研
-
磯谷 順一
図書館情報大
-
磯谷 順一
筑波大図情メディア
-
田中 一宜
アトムテクノロジー研究体-融合研
-
伊藤 久義
原子力機構
-
森下 憲雄
原研高崎
-
磯谷 順一
図情大
-
瀧澤 春喜
原研高崎
-
松田 彰久
電子技術総合研究所
-
松田 彰久
産業技術総合研究所薄膜シリコン系太陽電池開発研究ラボ
-
森下 憲雄
原研高崎研
-
伊藤 久義
原研高崎研
-
三木 一司
物材機構
-
三木 一司
電総研
-
森下 憲雄
原子力研究開発機構
-
西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
伊藤 久義
原研高崎
-
三木 一司
物材機構ナノマテ:産総研ナノテク
-
三木 一司
物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター
-
三木 一司
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター
-
三木 一司
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ
-
西澤 正泰
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
瀧澤 春喜
日本原子力研究所 高崎研究所
-
水落 憲和
筑波大図書館情報メディア:jstさきがけ:産総研ナノテク部門
-
山崎 聡
電子技術総合研究所
-
須永 博美
原研高崎
-
水落 憲和
図情大
-
森田 洋右
原研高崎
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
西澤 正泰
JRCAT-産総研
-
山崎 聡
アトムテクノロジー研究体-融合研
-
松田 彰久
電総研
-
田中 一宜
電子技術総合研究所
-
須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
-
須永 博美
原研 高崎研
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
山崎 聡
アトムテクノロジー研究体, 産業技術融合領域研究所
-
鎌倉 望
東北大学電気通信研究所
-
篠原 正典
長崎大学
-
水落 憲和
筑波大図情
-
田中 一宜
JRCAT融合研
-
三木 一司
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
-
大島 武
原研高崎
-
大嶋 武
原研高崎
-
山崎 聡
JRCA-融合研
-
山崎 聡
融合研
-
三木 一司
電子技術総合研究所
-
徳本 洋志
電総研
-
篠原 正典
長崎大学大学院生産科学研究科
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
原研
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
徳本 洋志
電子技術総合研究所
-
梶村 皓二
電子技術総合研究所
-
梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
-
Neumann P.
シュトゥットガルト大物理
-
Florian R.
シュトゥットガルト大物理
-
渡辺 幸志
産総研ダイヤモンド研究センター
-
Gaebel T.
シュトゥットガルト大物理
-
徳田 規夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
山部 紀久夫
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
三木 一司
ナノテク部門-産総研
-
篠原 正典
東北大電通研
-
鎌倉 望
東北大電通研
-
木村 康男
東北大電通研
-
庭野 道夫
東北大電通研
-
生田 一之
アトムテクノロジー研究体-融合研
-
豊島 安健
電子技術総合研究所
-
豊島 安健
電子技術総合研究所材料科学部
-
田中 一宜
アトムテクノロジー研究体
-
田中 一宜
電総研
-
磯谷 順一
JRCAT-融合研
-
磯谷 順一
アトムテクノロジー研究体-融合研
-
磯谷 順一
図情大, JRCAT-NAIR
-
李 貞圭
JRCAT-ATP
-
梅田 享英
JRCAT-NAIR.筑波大連携
-
山崎 聡
電総研
-
山崎 聡
産業技術融合領域研究所
-
篠原 正典
東北大学電気通信研究所
-
庭野 道夫
東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設
-
梅田 享英
筑波大
-
西澤 正泰
産業技術総合研
-
徳田 規夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻:産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
-
伊藤 久畿
原研高崎
著作論文
- 24pQD-11 ダイヤモンド中の単一NV中心における核スピンによるベル状態の生成と検出(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
- 24pYP-11 ESRによる6H-SiCの空孔クラスターの研究
- 26aYL-13 低温電子線照射による格子間原子型欠陥の探索
- 原子的に平坦化されたSi(111)表面へのCuナノ細線の形成と原子間力顕微鏡およびフーリエ変換赤外分光法による評価
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 23pZN-5 極薄Si酸化膜の構造欠陥のパルスESR評価
- パルスESR
- 4a-R-12 パルス電子スピン共鳴によるゼオライト結晶細孔中の水素原子サイトの局所構造決定
- 12a-DF-14 アモルファスシリコンのパルスESR : スピン緩和から見たダングリングボンドと水素の距離
- アモルファスシリコンに生成される光誘起ESR信号
- 27p-C-6 アモルファスシリコンにおける光構造変化
- 新しい薄膜成長その場観察手法 -電子スピン共鳴法-
- P-20 a-Si,a-Si : Hの弾性表面波伝播(ポスター・セッション)
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 29p-YL-4 パルスESR法による水素化アモルファスシリコンの光誘起欠陥の研究
- 25pWE-4 SiCのアンチサイト型欠陥の電子スピン共鳴法による構造決定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))