安田 哲二 | Jrcat-nair

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概要

• 同名の論文著者
• Jrcat-nairの論文著者

関連著者

• 安田 哲二

  Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研

• 安田 哲二

  Jrcat-nair

• 安田 哲二

  (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 大竹 晃浩

  JRCAT-ATP

• 大竹 晃浩

  (独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 八百 隆文

  東北大金材研

• 八百 隆文

  JRCAT-NAIR

• 三輪 司郎

  Jrcat-atp

• 山崎 聡

  産総研ナノテク部門

• 花田 貴

  東北大金研

• 山崎 聡

  JRCAT-融合研

• 木村 康三

  アトムテクノロジー研究体

• 郭 立信

  アトムテクノロジー研究体

• 西澤 正泰

  半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター

• 花田 貴

  JRCAT-NAIR

• 尾関 雅志

  JRCAT-ATP

• 郭 立信

  JRCAT-ATP

• 木村 康三

  JRCAT-ATP

• 西澤 正泰

  産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター

• 山崎 聡

  筑波大学 電子・物理工学専攻

• 西澤 正泰

  JRCAT-産総研

• 花田 貴

  東北大学金属材料研究所

• 山崎 聡

  東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会

• 山崎 聡

  Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)

• 尾関 雅志

  JRCAT

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学 大学院工学研究科

• 木村 健二

  京都大学 大学院工学研究科

• 鎌倉 望

  東北大学電気通信研究所

• 三木 一司

  物材機構

• 篠原 正典

  長崎大学

• 三木 一司

  電総研

• 篠原 正典

  長崎大学大学院生産科学研究科

• 小村 琢治

  Jrcat-nair

• 金 成国

  JRCAT-NAIR

• 三木 一司

  物材機構ナノマテ:産総研ナノテク

• 三木 一司

  物材・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

• 三木 一司

  物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構 ナノ有機センター

• 三木 一司

  (独)物質・材料研究機構ナノ有機センターナノアーキテクチャーグループ

• 三木 一司

  ナノテク部門-産総研

• 篠原 正典

  東北大電通研

• 鎌倉 望

  東北大電通研

• 木村 康男

  東北大電通研

• 庭野 道夫

  東北大電通研

• 篠原 正典

  東北大学電気通信研究所

• 庭野 道夫

  東北大学電気通信研究所ナノスピン実験施設

• 木村 健二

  京都大学

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著作論文

• 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
• 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
• 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
• 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
• 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
• 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
• 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
• 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果

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