24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
大竹 晃浩
JRCAT-ATP
-
尾関 雅志
JRCAT-ATP
-
大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
-
安田 哲二
産業技術総合研究所
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
尾関 雅志
JRCAT
関連論文
- X線非対称反射を用いたZnSe/GaAsの膜厚精密決定
- 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
- 30a-PS-32 超音速パルス分子線散乱装置の基本特性
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
- 2a-YF-13 X線反射率測定によるMBE-ZnSe/GaAs(001)ヘテロ界面の評価
- High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 19pPSB-35 H_2Oの2分子解離吸着によるSi(100)-(2x1)表面上でのC欠陥生成
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 26p-YR-2 GaAs(001)表面上の有機金属化合物のSTM観察
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- 24aPS-32 Si(111)-(7×7)表面でのSiH_nCl_吸着におけるCl置換効果
- 25aWB-7 GaAS(001)-2×4表面上の有機金属分子の観察
- SC-8-1 超音速分子線を用いたGaAs、InAsナノ構造成長
- GaAs有機原料分子の表面反応過程
- GaAs表面反応の動的解析と制御
- 反射率差振動を利用したシリコン酸化層数のその場計測
- 原子層結晶成長技術への期待--原子1層ごとに結晶を成長する--原子単位の結晶成長法 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 真空アニール法がAl_2O_3/GaSb MOS界面に与える影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)