III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術
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概要
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- 2008-06-02
著者
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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