宮田 典幸 | (独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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安田 哲二
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半導体MIRAI-産総研ASRC
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宮田 典幸
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
著作論文
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術