安田 哲二 | 半導体MIRAI-産総研ASRC
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概要
関連著者
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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竹中 充
東京大学工学系研究科電気系工学専攻
-
宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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福原 昇
住友化学
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横山 正史
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
-
金 相賢
東京大学電気系工学専攻
-
中根 了昌
東京大学電気系工学専攻
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横山 正史
東京大学電気系工学専攻
-
田岡 紀之
東京大学電気系工学専攻
-
安田 哲二
産業総合研究所
-
竹中 充
東京大学電気系工学専攻
-
高木 信一
東京大学電気系工学専攻
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秦 雅彦
住友化学
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山田 永
住友化学
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水林 亘
産業技術総合研究所
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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山田 永
住友化学(株)筑波研究所
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秦 雅彦
住友化学(株)筑波研究所
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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大野 真也
横国大工
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田中 正俊
横国大工
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新江 定憲
横国大工
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豊島 弘明
横国大工
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
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富永 浩二
半導体MIRAI-ASET
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久松 裕和
半導体MIRAI-ASET
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右田 真司
産業技術総合研究所
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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寺岡 有殿
原研
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
東京大学
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大野 真也
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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田邊 顕人
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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吉越 章隆
原研 放射光科学研セ
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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森本 真弘
横国大工
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鳥海 明
東京大学
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北条 大介
筑波大
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北條 大介
半導体mirai-産総研asrc
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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井上 慧
横国大工
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森田 行則
産業技術総合研究所
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玄 一
半導体MIRAI-産総研ASRC
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田中 正俊
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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森本 真弘
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
-
大野 真也
横浜国立大学大学院工学府物理情報工学
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飯田 亮
東京大学電気系工学専攻
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李 成薫
東京大学電気系工学専攻
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卜部 友二
産業総合研究所
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宮田 典幸
産業総合研究所
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昌原 明植
産業技術総合研究所
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構
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井上 慧
横浜国立大学大学院工学研究院
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新江 定憲
横浜国立大学大学院工学研究院
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豊島 弘明
横浜国立大学大学院工学研究院
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尾形 祥一
横浜国立大学大学院工学研究院
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寺岡 有殿
日本原子力研究所放射光科学研究センター
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福田 浩一
産業技術総合研究所
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寺岡 有殿
日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門
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北條 大介
国立大学法人 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
安田 哲二
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所
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昌原 明植
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
新江 定憲
横国大院工
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
森 貴洋
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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田邊 顕人
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
安田 哲二
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
-
昌原 明植
連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所
著作論文
- LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 気液ハイブリッド法によるハフニウムシリケート薄膜の作製とその電気特性 : TEOSによるシリケート膜の成長(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)