安田 哲二 | (独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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八百 隆文
東北大金材研
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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大竹 晃浩
JRCAT-ATP
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安田 哲二
Jrcat-nair
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木村 康三
アトムテクノロジー研究体
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アトムテクノロジー研究体
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八百 隆文
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東北大金研
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東理大理工
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東理大理工
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東理大理工
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Kuo Li-hsin
JRCA-ATP
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安田 哲二
JRCA-ATP
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八百 隆文
JRCA-NAIR
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石田 興太郎
理科大
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栗林 勝
理学電機(株)
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花田 貴
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尾関 雅志
JRCAT-ATP
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郭 立信
JRCAT-ATP
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木村 康三
JRCAT-ATP
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アトムテクノロジー研究体
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安田 哲二
アトムテクノロジー研究体
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大竹 晃浩
アトムテクノロジー研究体
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八百 隆文
アトムテクノロジー研究体
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花田 貴
東北大学金属材料研究所
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構 量子ドット研究センター
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
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尾関 雅志
JRCAT
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加藤 弘之
神戸大学大学院経済学研究科
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木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学 大学院工学研究科
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木村 健二
京都大学 大学院工学研究科
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古宮 聡
富士通
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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松本 卓三
東理大理工
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古宮 聡
富士通研究所
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侘美 克彦
東理大理工
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木村 康三
JRCA-ATP
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三輪 司郎
JRCA-NAIR
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石田 興太郎
東理大・理
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石田 興太郎
東大・教養
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小村 琢治
Jrcat-nair
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金 成国
JRCAT-NAIR
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宮田 典幸
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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大竹 晃浩
JRCA-ATP
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富田 博文
富士通研究所
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宮田 典幸
産業技術総合研究所
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石田 興太郎
東京理科大学理工学部物理学科
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木村 健二
京都大学
著作論文
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- 27a-PS-35 Se吸着GaAs(111)A-(2√×2√)-R30°表面再配列構造
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- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 29a-PS-39 ALE成長中におけるZnSe(001)表面
- 2a-YF-13 X線反射率測定によるMBE-ZnSe/GaAs(001)ヘテロ界面の評価
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術