28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-03-17
著者
-
木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
-
中嶋 薫
京都大学 大学院工学研究科
-
木村 健二
京都大学 大学院工学研究科
-
八百 隆文
東北大金材研
-
三輪 司郎
Jrcat-atp
-
木村 康三
アトムテクノロジー研究体
-
安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
-
郭 立信
アトムテクノロジー研究体
-
大竹 晃浩
JRCAT-ATP
-
八百 隆文
JRCAT-NAIR
-
郭 立信
JRCAT-ATP
-
木村 康三
JRCAT-ATP
-
大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
-
安田 哲二
産業技術総合研究所
-
安田 哲二
Jrcat-nair
-
木村 健二
京都大学
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