High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する.
- 2010-06-15
著者
-
山田 永
住友化学(株)筑波研究所
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
-
竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
板谷 太郎
産業技術総合研究所
-
安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
竹中 充
東京大学
-
高木 信一
東京大学
-
横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮田 典幸
産業技術総合研究所
-
卜部 友二
産業技術総合研究所
-
石井 裕之
産業技術総合研究所
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
福原 昇
住友化学
-
星井 拓也
東京大学
-
横山 正史
東京大学
-
安田 哲二
産業技術総合研究所
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構
-
山田 永
住友化学
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