木村 康三 | アトムテクノロジー研究体
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概要
関連著者
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八百 隆文
東北大金材研
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三輪 司郎
Jrcat-atp
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木村 康三
アトムテクノロジー研究体
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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郭 立信
アトムテクノロジー研究体
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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大竹 晃浩
JRCAT-ATP
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八百 隆文
JRCAT-NAIR
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郭 立信
JRCAT-ATP
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木村 康三
JRCAT-ATP
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三輪 司郎
アトムテクノロジー研究体
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安田 哲二
アトムテクノロジー研究体
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大竹 晃浩
アトムテクノロジー研究体
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八百 隆文
アトムテクノロジー研究体
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安田 哲二
Jrcat-nair
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加藤 弘之
神戸大学大学院経済学研究科
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木村 健二
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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中嶋 薫
京都大学 大学院工学研究科
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木村 健二
京都大学 大学院工学研究科
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石田 興太郎
東理大理工
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侘美 克彦
東理大理工
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高瀬 文
東理大理工
-
栗林 勝
東理大理工
-
木村 康三
JRCA-ATP
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Kuo Li-hsin
JRCA-ATP
-
安田 哲二
JRCA-ATP
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三輪 司郎
JRCA-NAIR
-
八百 隆文
JRCA-NAIR
-
石田 興太郎
理科大
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栗林 勝
理学電機(株)
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金 成国
JRCAT-NAIR
-
木村 健二
京都大学
著作論文
- X線非対称反射を用いたZnSe/GaAsの膜厚精密決定
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御