尾関 雅志 | JRCAT-ATP
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概要
関連著者
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尾関 雅志
JRCAT-ATP
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尾関 雅志
JRCAT
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大橋 勝文
JRCAT-ATP
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崔 捷
Jrcat-atp
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大竹 晃浩
JRCAT-ATP
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安田 哲二
(独)産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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安田 哲二
Jrcat-産総研:次世代半導体-産総研
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大竹 晃浩
(独)物質・材料研究機構量子ドット研究センター
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安田 哲二
産業技術総合研究所
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大竹 晃浩
物材機構
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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安田 哲二
Jrcat-nair
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尾関 雅志
アトムテクノロジー研究体
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崔 捷
アトムテクノロジー研究体
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大橋 勝文
アトムテクノロジー研究体
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梶山 博司
Jrcat-atp
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勝見 隆一
JRCAT-ATP
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奥村 元
JRCAT-NAIR
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中田 嘉信
JRCAT-ATP
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岩井 秀和
JRCAT
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崔 捷
ATP
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倉持 宏実
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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倉持 宏実
JRCAT-ATP
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沈 炳魯
JRCAT-ATP
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岩井 秀和
宇都宮大工
著作論文
- 30a-PS-32 超音速パルス分子線散乱装置の基本特性
- 19pPSB-34 GaAs(001)表面上でのIn_xGa_Asの層状成長
- 24pPSA-15 As分子線照射下におけるGaAs(001)表面構造
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 26p-YR-2 GaAs(001)表面上の有機金属化合物のSTM観察
- 25aWB-7 GaAS(001)-2×4表面上の有機金属分子の観察
- SC-8-1 超音速分子線を用いたGaAs、InAsナノ構造成長
- GaAs有機原料分子の表面反応過程
- GaAs表面反応の動的解析と制御
- 原子層結晶成長技術への期待--原子1層ごとに結晶を成長する--原子単位の結晶成長法 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)