大竹 晃浩 | 物材機構
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概要
関連著者
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大竹 晃浩
物材機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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小口 信行
物・材機構
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小口 信行
物材機構
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中村 淳
電通大電子
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小口 信行
物質・材料研究機構
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中村 淳
電通大
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名取 晃子
電通大電子
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平山 基
電通大電子
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名取 晃子
電通大
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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大竹 晃浩
JRCAT-ATP
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尾関 雅志
JRCAT-ATP
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
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Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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菅野 雄介
電通大院先進理工
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中村 淳
電通大院先進理工
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尾関 雅志
JRCAT
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中村 淳
早大材研
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塚本 史郎
金材技研
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Kocan P.
物材機構:charles Univ.
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制野 かおり
Friedrich-Schiller-Univ.
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Schmidt W.
Friedrich-Schiller-Univ.
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小口 信行
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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大竹 晃浩
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノデバイスグループ
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塚本 史郎
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
物材機構ナノマテ研
著作論文
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 液滴エピタキシィ法による化合物半導体量子ドットの作製 : 微細加工技術と自己組織化技術の融合"半導体研究の視点"
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- GaAs(001)表面のGaナノクラスター
- 21pXJ-8 GaAs(001)表面上のMn吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-1 Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))