GaAs(001)表面のGaナノクラスター
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 26a-ZE-4 InSb/α-Sn/InSb系における極性伝播の機構
- RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 液滴エピタキシィ法による化合物半導体量子ドットの作製 : 微細加工技術と自己組織化技術の融合"半導体研究の視点"
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- GaAs(001)表面のGaナノクラスター
- RHEEDによるGaAs表面構造の研究
- 21pXJ-8 GaAs(001)表面上のMn吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-1 Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))