22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-08-19
著者
-
小口 信行
物・材機構
-
小口 信行
物材機構
-
Kocan P.
物材機構:charles Univ.
-
大竹 晃浩
物材機構
-
制野 かおり
Friedrich-Schiller-Univ.
-
Schmidt W.
Friedrich-Schiller-Univ.
-
大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
関連論文
- 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 19pPSA-39 数百個の微小球より構成される自己組織化1次元フォトニックワイヤの開発(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26a-ZE-4 InSb/α-Sn/InSb系における極性伝播の機構
- 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
- 23aT-9 InAs/GaAs(111)A系における歪緩和
- 26aPS-21 GaAs(111)A-(2x2)ホモエピタキシャル成長のbeam-rocking RHEEDによる評価
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23aYD-1 極低温 STM を用いた Si(100) 表面の研究
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 液滴エピタキシィ法による化合物半導体量子ドットの作製 : 微細加工技術と自己組織化技術の融合"半導体研究の視点"
- 31aYE-1 GaAs 量子ドットのサブレベル間緩和過程
- 20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- GaAs(001)表面のGaナノクラスター
- RHEEDによるGaAs表面構造の研究
- 21pXJ-8 GaAs(001)表面上のMn吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYB-1 Si(111)-(7x7)表面上のGaナノクラスター(27pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)
- 7pPSA-58 GaAs 自己形成量子ドットにおける配向緩和過程の観測(領域5)
- 7pSA-15 GaAs量子ドット中の励起子の圧力効果(量子ドット,領域4)
- 24pYE-3 単一GaAs量子ドット発光における多励起子緩和過程(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))