22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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小口 信行
物・材機構
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小口 信行
物材機構
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小口 信行
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
物材機構
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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