28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
藤田 大介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
-
小口 信行
物・材機構
-
藤田 大介
独立行政法人物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所ナノ物性研究グループ
-
藤田 大介
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
-
小口 信行
物質・材料研究機構
-
鷺坂 恵介
物質・材料研究機構
-
鷺坂 恵介
物質・材料研究機構ナノ計測センター
-
藤田 大介
物質・材料研究機構
関連論文
- 原子間力顕微鏡像探針形状効果補正のための標準ナノ粒子法とブラインド・リコンストラクション法の比較
- 21aTR-1 強度相関によるGaAs量子ドットの多励起子構造(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 19pPSA-41 半導体単一量子ドットの励起子発光の強度相関II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 27aZC-10 自己形成量子リングの光学探査(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24pPSB-62 (La,Ca)B_6の強磁性は空間的に均一か?
- 31p-PSB-33 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測II
- 27aXD-12 表面析出法により成長したグラファイト基底面上におけるカーボンナノワイヤとカーボンナノベルトの発見(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 19pPSA-39 数百個の微小球より構成される自己組織化1次元フォトニックワイヤの開発(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21pTR-6 GaAs量子ドットの共鳴励起発光と励起子ダイポールモーメント(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 27aWA-7 単一量子ドットの共鳴励起発光と励起子ラビ振動(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 24aPS-85 GaAs量子ドット発光の位相緩和(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 12aXD-10 単一量子ドット発光の自己相関測定(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- Co薄膜の低温における電気伝導特性
- 17pPSA-16 コバルト薄膜の低温強磁場下における電気伝導特性
- 22pYB-5 磁性細線における磁化反転過程の多端子測定
- 23aSB-1微小超伝導リングにおけるLittle-Parks振動の試料形状依存性
- 原子間力顕微鏡像探針形状効果補正のための標準ナノ粒子法とブラインド・リコンストラクション法の比較
- 低エネルギー集束GaイオンビームのCaAs基板への照射効果
- 炭素固溶Ni(111)上におけるグラファイト(0001)テラスとカーボンナノワイヤの競合成長
- 27aXC-3 自己形成量子リングの強磁場発光特性(27aXC 光応答・量子閉じ込め,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 低エネルギー集束イオンビームによるGaAs微細構造の作製
- SiO_2薄膜の電子線照射支援スパッタリングのリソグラフィへの応用
- 25aPS-71 GaAs単一量子ドットの励起子発光の強度相関(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aYE-8 最もGaリッチなGaAs(001)-(4×6)表面の新たな構造モデル(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pPSB-10 半導体単一量子ドットの発光の時間分解測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-93 半導体単一量子ドットの多励起子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aPS-90 単一GaAs量子ドットのエネルギー準位構造及びドット内キャリア交換エネルギーの測定(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 12aXD-8 GaAs 単一量子ドットにおけるフォトルミネッセンススペクトルの磁場依存性(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pWP-11 走査トンネル顕微鏡によるSi(100)表面の構造操作(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aWP-1 Ga安定化GaAs(001)表面原子配列の評価(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 28aXS-11 単一GaAs量子ドット内キャリアー相関(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 23aYD-1 極低温 STM を用いた Si(100) 表面の研究
- 22aYD-1 As 被覆率に依存した二種類の GaAs(001)-c(4x4) 構造
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 20aTJ-3 SHG-FROG 法を用いた GaAs 中の透過パルス位相測定
- 23PWB-5 GaAs 量子ドットのエネルギー準位構造の解析
- 液滴エピタキシィ法による化合物半導体量子ドットの作製 : 微細加工技術と自己組織化技術の融合"半導体研究の視点"
- 31aYE-1 GaAs 量子ドットのサブレベル間緩和過程
- 企画にあたって
- STMおよびAFMを用いたナノメーターから原子スケールの構造作製
- Cs補正HAADF-STEMによるAlGaAs中のGaAs量子リングの観察
- 液滴エピタキシー法によるナノリング構造の自己形成(量子ドットの使い方)
- 20pPSB-11 二分割GaAs量子ドット構造の作製とその光学(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 格子整合系GaAs/AlGaAs量子ドットの液滴エピタキシーによる作製と光学特性評価
- 12aXD-9 ラマン分光による InGaAs 量子ドットのバリア障壁の解析(微粒子・ナノ結晶, 領域 5)
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 19pRG-5 GaAs単一量子ドットの発光スペクトル
- 18aPS-28 GaAs量子ドットにおけるサブレベル間緩和過程
- その場STM観察によるGaAs(001)表面のGa原子吸着ダイナミクス
- InGaAs量子ドットのSPEED法による作製とその光学特性
- 7a-PS-55 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測IV
- S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測III
- 30a-PS-26 S終端GaAs(001)面の光電子回折による観測
- 特集「各種顕微鏡法による先端材料評価最前線」特集企画にあたって
- 第3回極限場国際シンポジウム「ナノ構造の創製」
- 24pYQ-4 磁性細線中のマルチトラップサイトによる磁壁の移動への影響
- 25a-YM-7 表面定在波観測による2次元フェルミ面の可視化
- 金(111)再構成表面における表面状態電子の擬一次元定在波
- 高分解能角度分解分光装置用大型ミューメタルチャンバーの真空排気特性
- 25pPSA-18 アルミナ超薄膜上Cu微粒子のトンネル分光(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 19pXF-6 トンネル分光による金ナノクラスタの化学ポテンシャル計測(微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aWP-10 SAM上における金ナノクラスターの密度・粒径制御とトンネル分光測定(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 27pYG-1 金ナノクラスターの電気的中性度のサイズ依存性(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
- 22aYC-6 金ナノクラスターの化学ポテンシャル : サイズ依存性と環境の影響
- STMによるナノデバイス作製・評価システムの開発
- 極低バイアス走査トンネル顕微鏡による低次元表面観察
- アクティブナノ計測知的基盤
- アクティブ・ナノ計測技術 : 走査トンネル顕微鏡を中心として
- ナノ粒子を利用した原子間力顕微鏡像の探針先端形状効果の補正
- 24aTD-5 電界放射共鳴を用いたSi(111)表面のSTM観察(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ナノ創製のためのナノ計測技術 (特集 ナノテクノロジーの開発に有効な解析・評価ツール)
- 走査型トンネル顕微鏡による低次元ナノ構造の創成と計測
- 表面析出による新しいカーボンナノ構造の創製
- Si(100)表面における構造操作と基底状態
- 極限物理場環境走査型トンネル顕微鏡の開発
- 26pXC-3 Si(100)再構成表面の電子状態とSTMイメージング(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 低温STMによるSi(001)非対称ダイマー相の操作
- クーロン階段の解析による金ナノクラスターの化学ポテンシャル計測 (特集:金ナノ構造)
- 走査トンネル顕微鏡によるナノ構造の創製と解析
- 28aWR-2 p-GaAs(110)表面からのトンネル電子誘起発光近接場計測(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
- 走査トンネル顕微鏡によるナノ創製とナノ計測の融合:アクティブ・ナノ計測
- 基底状熊におけるSi(100)表面の最安定構造
- 表面析出による新しいカーボンナノ構造の創製--カーボンナノスプラウト
- 極高真空環境の創製による超伝導LDOSプローブの開発
- CuNi合金における固溶炭素の表面析出現象とその応用
- ステンレス鋼の表面酸化膜と超・極高真空への効果
- ナノドットの創製機構と量子効果 (特集 ナノ機能性材料)
- 30pPSA-48 マスクを用いた低密度量子ドット顕微分光スペクトル
- 25pTG-7 Si(100)表面に吸着したリン分子のSTM観察(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-31 Si(100)表面におけるリン分子の吸着構造(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- SPM標準化：ISO TC201 SC9での標準化活動について
- 6pWA-15 コバルト薄膜における電子電子相関とパーコレーション効果(微小領域磁性・磁化過程,領域3)
- 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7pPSA-73 マスクを用いた量子ドット顕微発光信号の観測(領域5)
- A26 TOF-SIMS等を用いた粘土鉱物へのCs吸着挙動(粘土鉱物-放射性セシウム相互作用に関する先端研究,提案型セッション)
- 7pPSA-58 GaAs 自己形成量子ドットにおける配向緩和過程の観測(領域5)
- 24pYE-3 単一GaAs量子ドット発光における多励起子緩和過程(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))
- 27pYF-9 Ga安定化GaAs(001)表面の構造評価(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))