低エネルギー集束GaイオンビームのCaAs基板への照射効果

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
低エネルギーイオンビーム堆積装置を用いてGaイオンをGaAs基板ヘ照射し、微細構造の直接形成を試みた。イオン源には液体Gaイオン源を用い、10kVでイオンビームを集束し、それを4段のレンズで減速し低エネルギーイオンビームを実現した。Caイオンは実効エネルギーを10〜30eVの範囲で変化させ、硫黄で終端されたCaAs基板に照射した。表面の形状は走査電子顕微鏡、走査トンネル顕微鏡による走査トンネルスペクトルスコピーを用いて評価した。その結果、大きさ300〜500nmのGa液滴が線状、格子状に並んでいる様子が観測された。またAs分子線を照射するとこれらの液滴から微結晶が成長することも観測された。これらのことから低エネルギー集束イオンビームによる微細構造の直接作製の可能性が示された。
1997-08-04

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク