15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
-
小口 信行
物・材機構
-
中村 淳
電通大電子
-
名取 晃子
電通大電子
-
小口 信行
物材機構
-
小口 信行
物質・材料研究機構
-
中村 淳
電通大
-
Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大学
-
Kocan P.
物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)
-
大竹 晃浩
物材機構
-
名取 晃子
電通大
-
名取 晃子
電気通信大学電子工学科
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構
-
大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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