29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 中村 淳

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

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