名取 晃子 | 電通大電子

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概要

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関連著者

• 名取 晃子

  電通大電子

• 名取 晃子

  電通大

• 中村 淳

  電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学電子工学科

• 安永 均

  電通大

• 安永 均

  電気通信大学電波通信学科

• 中村 淳

  電通大院先進理工:電通大電子

• 名取 晃子

  電気通信大学

• 中村 淳

  電通大

• 平山 基

  電通大電子

• 坂本 克好

  電通大電子

• 坂本 克好

  電通大

• 安永 均

  電気通信大学電子工学科

• 名取 晃子

  電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻

• 中村 淳

  電気通信大学電気通信学部電子工学科

• 中村 淳

  電気通信大学大学院先進理工学専攻

• 名取 研二

  筑波大物工

• 涌井 貞一

  電通大電子

• 新田 敏浩

  電通大

• 杉本 有一郎

  電通大

• 高瀬 賢順

  電通大

• 太田 聡

  電通大

• 大竹 晃浩

  物材機構

• 原田 博司

  電通大

• 河野 勝泰

  電通大電子

• 大竹 晃浩

  独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所

• 新井 崇之

  電通大

• 石原 俊介

  電通大

• 井上 純一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 長谷川 修司

  東大理

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構量子ドットセンター

• 呉 南健

  電気通信大学電子工学科

• 奥山 直樹

  電通大

• 奥山 直樹

  電気通信大学

• 千葉 朋

  電通大電子

• 住友 弘二

  NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ

• 名取 研二

  筑波大学物理光学系

• 井上 純一

  物材機構計算科学センター

• 藤戸 正道

  電通大

• 中山 隆史

  千葉大理

• 井上 純一

  電通大電子

• 荻野 俊郎

  横国大

• 荻野 俊郎

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 小口 信行

  物質・材料研究機構

• 住友 弘二

  Ntt物性科学基礎研究所

• 張 朝暉

  北京大学

• 中山 隆史

  千葉大学理学部

• 戸田 健太郎

  電通大

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 鈴木 利哉

  電通大

• 田中 秋彦

  電通大

• 中山 隆史

  千葉大学

• 荻野 俊郎

  NTT物性基礎研

• 伊藤 潤

  電気通信大学電子

• 清水 共

  筑波大物工

• 五十嵐 正典

  電通大電子

• 尾身 博雄

  NTT物性科学基礎研究所

• 張 朝暉

  NTT物性科学基礎研究所

• 大野 剛史

  電通大

• 長内 理尚

  電通大

• 大沼 伸

  電通大

• 呉 南健

  電通大

• 朝岡 隆

  電通大

• 金山 清次

  電通大

• 安岡 毅

  電通大

• 山田 太一

  電通大電子

• 大竹 晃浩

  物質・材料研究機構

• 大野 景太

  電通大

• 石原 俊介

  電通大電子

• 名取 研二

  筑波大 物工

• 尾身 博雄

  Ntt物性基礎研

• 押山 淳

  東大院工

• 大野 隆央

  東大生研

• 早川 美徳

  東北大学大学院理学研究科

• 河野 勝泰

  電気通信大学電子工学科

• 粕谷 厚生

  東北大学際セ

• 小口 信行

  物・材機構

• 須藤 彰三

  東北大院理

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科

• 小口 信行

  物材機構

• 山口 翔

  電気通信大学

• 粕谷 厚生

  学際セ

• 早川 美徳

  東北大院理

• Szuba S.

  Poznun Univ. of Tech. (Poland)

• 須藤 彰三

  東北大学大学院理学研究科物理学専攻

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学系研究科物理学専攻

• 大野 隆央

  Ntt Lsi研究所

• 塚本 史郎

  金材技研

• 中山 隆史

  千葉大

• Kocan P.

  物質・材料研究機構:カレル大学

• Kocan P.

  物質・材料研究機構:カレル大(チェコ共和国)

• 粕谷 厚生

  東北大学国際高等融合領域研究機構

• 冷清水 裕子

  東北大院理

• 泉水 一紘

  東北大院理

• Osiecki J.

  東北大院理

• 早川 美穂

  東北大院理

• 大野 隆央

  東大・理

• 平山 基

  電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻

• 江口 俊輔

  電通大電子

• 挾間 裕一

  電通大電子

• 齋藤 浩一

  電通大

• 塚本 史郎

  物質・材料研究機構

• Quang N.

  電通大

• 村山 美佐緒

  電通大

• Quang Nguyen

  電通大

• 村上 美佐緒

  電通大

• 川邊 虎弘

  電通大

• 村山 美佐緒

  千葉大学理学部物理学科

• 河野 勝泰

  電気通信大学

• 坂本 克好

  電気通信大学電子工学科

• 大野 隆央

  武蔵野通研

• 押山 淳

  IBM

• 桝 日向

  電通大電子

• 湧波 信弥

  電通大

• 名取 諭史

  電通大

• 新田 敏浩

  電通大電子

• 大野 景太

  電通大電子

• 瀬下 裕也

  電通大

• 網田 正大

  電通大

• 長谷川 修司

  東京大学大学院理学研究科

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著作論文

• 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pPSB-23 酸素吸着グラフェンの構造安定性と凝集性質(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aWH-14 多谷半導体中のD^-基底状態 : 磁場効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXL-1 D^-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算 : 有効質量異方性及び多谷効果(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
• アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
• 25pTE-15 Si(111)7×7表面上のAg原子の吸着及び協力的拡散によるクラスター形成過程(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
• GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
• 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 21pVC-4 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(21pVC 確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
• 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
• 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
• 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
• 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
• 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
• 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
• 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
• 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
• 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
• 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
• 25aK-9 量子ドット荷電励起子の磁場効果
• 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
• 28p-YM-1 Si(001)面上異方的欠損ダイマークラスタの安定性
• 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Ag探針を用いた表面エレクトロマイグレーションのSEM観察
• 28pPSB-69 UHV-SEM を用いた Vicinal Si(001) 表面エレクトロマイグレーションのその場観察
• 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
• 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
• 3p-E-4 単原子層の反電場効果
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• Si(111)面の表面融解
• 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
• 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
• 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
• 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
• 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
• 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
• 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
• 23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 半導体超薄膜の誘電特性
• 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
• 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
• 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
• 14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
• 29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 22aYD-10 半導体超薄膜の誘電率の第一原理計算
• 20aPS-62 不整合ヘテロエピタキシャル島のナノトライボロジー
• 20aPS-20 超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
• 30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
• 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
• 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
• 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
• 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
• 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
• 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
• 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
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• 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
• 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
• 原子鎖の電子波透過スペクトル
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