尾身 博雄 | Ntt物性基礎研
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概要
関連著者
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尾身 博雄
Ntt物性基礎研
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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張 朝暉
北京大学
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中村 淳
電通大電子
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張 朝暉
NTT物性科学基礎研究所
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名取 晃子
電通大電子
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小林 慶裕
NTT物性基礎研
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川村 朋晃
NTT物性科学基礎研究所
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藤川 誠司
兵庫県立大学理学部
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篭島 靖
兵庫県立大学大学院物質理学研究科
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篭島 靖
兵庫県立大学
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津坂 佳幸
兵庫県立大学
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松井 純爾
兵庫県先端科学技術支援センター
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藤川 誠司
兵庫県立大学
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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荻野 俊郎
横浜国立大学工学府物理情報工学専攻
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本間 芳和
日本電信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
Ntt物性基礎研
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本間 芳和
Ntt物性科学基礎研究所
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本間 芳和
日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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荻野 俊郎
横浜国立大学
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ZHANG Zhaohui
北京大学
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Bottomley David
NTT物性科学基礎研究所
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BOTTOMLEY David
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所
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Tonchev V.
IPCBAS
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Pimpinelli A.
LASMEA
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名取 晃子
電気通信大学
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松井 純爾
(財)ひょうご科学技術協会兵庫県放射光ナノテク研究所
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木間 芳和
NTT物性基礎研
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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篭島 靖
兵庫県大 大学院物質理学研究科
著作論文
- ナノシリコン層の歪み解析
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 高指数Si基板上のGe島の自己組織化
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 24pPSA-4 歪み分布を制御したSi表面の解析 : 理論と実験
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- 斜入射X線回折によるシリコンナノ薄膜の歪解析
- 29pWP-3 微傾斜Si(111)基板上でのステップフロー成長によるステップバンチングの自己組織化(結晶成長)(領域9)