ナノシリコン層の歪み解析

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概要

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•   A thin silicon nanooverlayer (SNOL) fabricated by oxidation and etch-back in a Separation by IMplantation of OXygen wafer was investigated by grazing incident X-ray diffraction at incident angles between 0.01° and 0.1° below the critical angle of total reflection (0.18°). We measured {220} reflections by probing the sample with respect to surface normal and found that the SNOL has finite domains under strain close to the surface. We also found that annealing the sample up to 1000°C significantly reduced inhomogeneous strain and increased the size of the domains in the surface region of the SNOL.

• 2008-05-20

著者

• 小林 慶裕

  NTT物性基礎研

• 川村 朋晃

  NTT物性科学基礎研究所

• 藤川 誠司

  兵庫県立大学理学部

• 尾身 博雄

  NTT物性科学基礎研究所

• 篭島 靖

  兵庫県立大学大学院物質理学研究科

• 篭島 靖

  兵庫県立大学

• 津坂 佳幸

  兵庫県立大学

• 松井 純爾

  兵庫県先端科学技術支援センター

• 藤川 誠司

  兵庫県立大学

• 松井 純爾

  (財)ひょうご科学技術協会兵庫県放射光ナノテク研究所

• 尾身 博雄

  Ntt物性基礎研

• 篭島 靖

  兵庫県大 大学院物質理学研究科

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