Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 2003-09-10
著者
-
中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
-
中村 淳
電通大電子
-
住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
-
荻野 俊郎
横国大
-
荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
-
住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
-
張 朝暉
北京大学
-
荻野 俊郎
NTT物性基礎研
-
名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
-
尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
-
張 朝暉
NTT物性科学基礎研究所
-
名取 晃子
電気通信大学
-
尾身 博雄
Ntt物性基礎研
-
中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
関連論文
- 21aHW-4 Si/SiO_2量子井戸内D-イオン束縛エネルギーの井戸幅依存性 : valley-orbit相互作用効果(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Au/InSb(111)A系における合金形成過程
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-7 HfO_2・SiO_2薄膜における酸素欠損近傍の局所誘電率評価(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pYE-7 SiC多形超薄膜の誘電特性(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 人材育成・男女共同参画委員会, 刊行委員会, JJAP編集運営委員会共同企画シンポジウム : 「学会における若手人材育成-応物があなたのキャリアデザインを応援します-」報告
- 高速原子間力顕微鏡を用いた受容体の一分子イメージング
- 22pGL-5 GaAs(110)表面上のMnAs単分子層膜の磁性(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 博士のキャリア相談会 : トライアル開催の報告
- 22pPSB-23 酸素吸着グラフェンの構造安定性と凝集性質(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aWH-14 多谷半導体中のD^-基底状態 : 磁場効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 24aXL-1 D^-基底状態の拡散量子モンテカルロ計算 : 有効質量異方性及び多谷効果(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 人材育成
- ナノ構造技術
- 単一分子レベルでのたんぱく質の機能評価
- 生体膜及び生体膜貫通タンパク質のAFMを用いた直接観察
- 29aZB-4 カリウム内包単層ナノチューブの光電子分光
- GaAs(001)表面近傍の結晶欠陥の制御による表面Fermi準位の制御
- 22aXF-3 光電子顕微鏡による単層ナノチューブの観察
- 27pYQ-3 Si(111)-(√×√)-Ag表面の相転移とSTM像のシミュレーション
- 25pWF-11 ナノスケールの摩擦機構 : ティップサイズ効果(粉体・摩擦・地震,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 原子間力顕微鏡による受容体タンパク質の観察とナノバイオデバイス
- 27aWB-8 配向したナノチューブの光電子分光
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- 人材育成・男女共同参画委員会第8回ミーティング報告"博士『後』のキャリアを考える"
- 低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究
- Si 双晶超格子
- Si双晶超格子の作製--新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長
- 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
- Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察
- Si表面における人工構造物の蒸発による変化
- 24pW-5 Si(111)表面に形成した丘および穴の加熱による崩壊過程
- RHEEDロッキングカーブを用いたSi(111)√3×√3R30°-Au表面の構造解析
- 23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 人材育成・男女共同参画委員会第9回ミーティング報告 : 博士『後』のキャリアを考える2
- 「若手技術者・研究者の多様なキャリアパス」を通して
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-14 GaAs(110)表面上のGa置換Mnナノワイヤの原子配置とスピン・電子状態(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pVC-4 異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(21pVC 確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pTD-3 SiO_2/Si(001)界面におけるナノスケール誘電特性の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pTD-9 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算II : STM像の不純物原子種依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWG-8 La_Sr_xMnO_単結晶の結晶構造と磁気特性の過剰酸素量依存性(Mn酸化物,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 18pTG-9 第一原理計算によるSiO_2/Si(001)界面のナノスケール誘電特性評価(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-10 不純物ドープSi(111)表面のSTM像の第一原理計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 27pY-7 Si(001)2x1Ag吸着表面の第一原理計算による評価
- 25pWB-7 ジグザグ金原子鋼の双安定性
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- 中速イオン散乱法(MEIS)と走査型トンネル顕微鏡(STM)による表面ナノ構造の解析
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- 31aWD-8 Ge/Si(113)-2×2 表面の応力異方性
- 19pPSB-38 Ge/Si(113)-2x2表面の構造安定性
- 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化
- 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 6p-B-11 α-Sn(111)-(2x2)表面の構造と電子状態II
- 5a-H-11 α-Sn(111)-(2×2)表面の構造と電子状態I
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- Ge/Si(111)-Sb系表面変性エピタキシ-
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 28pWP-3 第一原理計算によるAu/Si(111)-α(√×√)表面構造の研究(表面界面構造(半導体))(領域9)
- 原子間力顕微鏡による受容体タンパク質の観察とナノバイオデバイス
- 18pWH-4 有限温度原子レベル摩擦機構 : 1次元Tomlinsonモデルによる解析(領域9,領域10合同シンポジウム ナノスコピック系の摩擦の物理:摩擦の素過程と制御,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23pYH-3 原子摩擦力の速度飽和機構(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXJ-1 Si(111)双晶境界近傍の局所的誘電率変化(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29pXB-13 縦型2重量子ドットのスピン結合と磁場制御(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYE-7 SiO_2超薄膜の誘電特性(表面ナノ構造量子物性,ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体超薄膜の誘電特性
- 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-145 2次元シリコン化合物の原子構造と電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aYA-11 原子・イオンの多重極分極率に対する相対論的効果 : 密度汎関数計算(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 男女共同参画第6回ミｰティング報告 : 若手からの提言｢多様化するライフスタイルとキャリアプラン｣
- 15aTE-8 密度汎関数法による原子多重極分極率の計算 : 自己相互作用補正(原子・分子, 領域 1)
- 15pXG-14 Si(001)-2×1 ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の外部電場依存性(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
- 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
- 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
- 14aXG-3 Si 超薄膜の誘電特性 II(表面界面電子物性, 領域 9)
- 15pXA-5 アルカリ金属および貴金属イオンの多重極分極率(超イオン伝導体・イオン伝導体, 領域 5)
- 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
- 極薄SiO_2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
- 22aYD-10 半導体超薄膜の誘電率の第一原理計算
- 20aPS-62 不整合ヘテロエピタキシャル島のナノトライボロジー
- 20aPS-20 超薄膜の外部静電場応答特性の第一原理的評価
- 20pTE-15 重い原子・イオンの多重極分極率
- 30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
- 22aBA-2 閉核イオン・原子の多重極分極率
- 膜タンパク質の脂質膜への再構成とナノバイオデバイス創出への挑戦 (特集 ナノバイオ)
- 原子間力顕微鏡を用いた生体分子のトポロジー観察