名取 晃子 | 電気通信大学
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概要
関連著者
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名取 晃子
電気通信大学
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名取 晃子
電通大
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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名取 晃子
電通大電子
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安永 均
電通大
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安永 均
電気通信大学電波通信学科
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安永 均
電気通信大学電子工学科
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安永 均
電気通信大学
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中村 淳
電気通信大学電気通信学部電子工学科
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呉 南健
電気通信大学電子工学科
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中村 淳
電通大電子
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中村 淳
電気通信大学大学院先進理工学専攻
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名取 晃子
電気通信大学電子工学科
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鎌田 丈良夫
電気通信大学電子工学科
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大沼 伸
電通大
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中山 隆史
千葉大理
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中山 隆史
千葉大学
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伊藤 潤
電気通信大学電子
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原田 博司
電通大
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名取 晃子
Department Of Electronic Engineering
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菅 信朗
電気通信大学
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大野 剛史
電通大
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長内 理尚
電通大
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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河野 勝泰
電気通信大学電子工学科
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住友 弘二
NTT物性科学基礎研究所 機能物質科学研究部 分子生体機能研究グループ
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山口 翔
電気通信大学
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長谷川 修司
東京大学大学院理学系研究科物理学専攻
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荻野 俊郎
横国大
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荻野 俊郎
横浜国立大学大学院工学研究院
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住友 弘二
Ntt物性科学基礎研究所
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張 朝暉
北京大学
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中山 隆史
千葉大
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荻野 俊郎
NTT物性基礎研
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北折 潤
電気通信大学電子工学科電子デバイス講座
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平山 基
電通大電子
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平山 基
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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尾身 博雄
NTT物性科学基礎研究所
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張 朝暉
NTT物性科学基礎研究所
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河野 勝泰
電通大電子
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Quang N.
電通大
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川辺 虎弘
電気通信大学
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村山 美佐緒
電通大
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Quang Nguyen
電通大
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村上 美佐緒
電通大
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管 信朗
電気通信大学
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金原 純也
電気通信大学
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石丸 康之
電気通信大学
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Quang N.H.
電気通信大学
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大沼 伸
電気通信大学
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村山 美佐緒
千葉大学理学部物理学科
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河野 勝泰
電気通信大学
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坂本 克好
電通大電子
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坂本 克好
電気通信大学電子工学科
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窪田 一夫
電気通信大学電子工学科電子デバイス講座
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渡会 雅敏
電気通信大学
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長谷川 修司
東京大学大学院理学研究科
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尾身 博雄
Ntt物性基礎研
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坂本 克好
電通大
著作論文
- 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
- 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
- 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
- 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
- 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
- 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
- 24pPSA-55 Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの成長ダイナミクス
- 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
- 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
- 25aK-9 量子ドット荷電励起子の磁場効果
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
- 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
- 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
- 25pD-7 Charged Magnetoexcitons in Parabolic Quantum Dots
- C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- Ag探針を用いた表面エレクトロマイグレーションのSEM観察
- 22pYE-3 グラフェンシートの酸素吸着と拡散過程の第一原理計算(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 半導体超薄膜の誘電特性
- 極薄SiO_2/Si界面のエネルギー障壁の第一原理計算
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- Simulated Annealingの有効冷却スケジュールとレンジリミターの設計
- TSP(巡回セールスマン問題)のHopfieldモデルによる解法の効率化
- 2011年5月の随想
- 吸着子表面拡散とパターン形成(V理論II,相転移における秩序形成過程の動力学,科研費研究会報告)