安永 均 | 電気通信大学電波通信学科
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概要
関連著者
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安永 均
電通大
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安永 均
電気通信大学電波通信学科
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名取 晃子
電通大
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名取 晃子
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安永 均
電気通信大学電子工学科
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名取 晃子
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呉 南健
電気通信大学電子工学科
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安永 均
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名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
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奥山 直樹
電通大
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奥山 直樹
電気通信大学
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藤戸 正道
電通大
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鎌田 丈良夫
電気通信大学電子工学科
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坂本 克好
電通大電子
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坂本 克好
電通大
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杉本 有一郎
電通大
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名取 晃子
電通大・電子
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安永 均
電通大・電子
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太田 聡
電通大
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呉 南健
電通大
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新井 崇之
電通大
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安島 裕恵
電通大
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戸田 健太郎
電通大
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田中 秋彦
電通大
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長内 理尚
電通大
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朝岡 隆
電通大
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金山 清次
電通大
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安岡 毅
電通大
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高瀬 賢順
電通大
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中村 大亮
電通大
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西山 龍一
電通大・電子
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村山 正彦
電通大・電子
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梅内 芳浩
電通大
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藤村 博紀
電通大
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鈴木 利哉
電通大
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川嶋 裕
電通大
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原田 博司
電通大
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松本 大介
電通大・電子
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菅 信朗
電気通信大学
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大野 剛史
電通大
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大沼 伸
電通大
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Quang N.
電通大
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管 信朗
電気通信大学
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金原 純也
電気通信大学
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石丸 康之
電気通信大学
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杉浦 聡
電通大
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奥田 健吾
電通大
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針生 剛男
電通大
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清水 一広
電通大
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宮崎 耕次
電通大
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網田 正大
電通大
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鎌田 丈良夫
電通大
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安鳥 裕恵
電通大
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馬場 雅広
電通大
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馬場 雅廣
電通大
著作論文
- 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
- アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
- 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
- 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
- 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
- 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
- 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
- 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
- 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
- C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 3p-B4-5 グラファイト(0001)表面におけるセシウム吸着状態のLEED,AESによる測定
- 29a-G-1 Cs吸着グラファイト表面のC KVV オージェスペクトル
- 2a-E-7 セシウム吸着グラファイト表面のLEED像
- 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
- 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
- 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
- 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
- 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
- 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
- 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
- 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
- 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- 5p-E-11 Si(111)ステップ表面のLEEDによる研究
- 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
- 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
- 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
- 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
- 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
- 28a-T-10 Si表面上のヒロック/クレーター修復過程とステップ構造の相関
- 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
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- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
- 2a-YF-11 Au微小被覆条件下のSi(111)面の表面エレクトロマイグレーション
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
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- 31a-T-4 Si(001)面欠損ダイマー列構造の形成過程
- 29a-YQ-9 異方的調和型量子ドットの多電子相関効果
- 29a-K-8 量子井戸内D^-イオンの磁気吸収スペクトル
- 12a-DE-2 量子井戸内D^-イオンのシュタルク効果
- 3a-J-9 √3×√3Ag/Si(111)と7×7Si(111)上のAg原子構造
- 31p-PSB-26 Si(100)面欠損ダイマー構造のストレイン依存性
- 30p-G-5 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程 III
- 28a-Z-13 アルカリハライド(001)面上アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZF-12 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程(II)
- 30p-BPS-16 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZD-3 Si(100)ステップ面上SiMBEの通電効果
- 27p-R-2 Si(100)面ステップダイナミクスの通電効果
- 半導体表面におけるエレクトロマイグレーション
- 5p-W-11 fcc(111)金属表面原子動力学の計算機シミュレーション
- 4a-T-8 半導体表面におけるヘテロエレクトロマイグレーション
- 4a-B4-10 アニーリングによるヘテロ薄膜緩和の計算機シミュレーション
- 新しい型のエレクトロマイグレ-ション--Si(111)上Ag層の場合