結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文は結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機を提案する。人工分子は2つの結合した量子ドットと一個の単一電子から成る。量子計算機のキュビットおよび制御NOTゲートはそれぞれ1つの人工分子および2つの結合した人工分子で構成される。キュビットの基本ベクトル|0〉および|1〉には人工分子の基底状態と第一励起状態を用いる。キュビットの状態は共鳴電磁波をマイクロストリップ線路から照射することによって操作する。キュビット間に設けた三つの金属電極をフローティング / グラウンドすることによって、制御NOTゲートにおけるキュビット間のクーロン相互作用結合を制御する。時間依存シュレディンガー方程式に基づいてゲートの動作特性を数値的に解析し、量子計算機を実行できることを示す。あわせて、エレクトロメータによる量子計算機の結果の読み出しの方法を提案した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-10
著者
-
呉 南健
電気通信大学電子工学科
-
安永 均
電通大
-
鎌田 丈良夫
電気通信大学電子工学科
-
名取 晃子
電気通信大学電気通信学研究科電子工学専攻
-
名取 晃子
電通大
-
安永 均
電気通信大学
-
安永 均
電気通信大学電子工学科
-
安永 均
電気通信大学電波通信学科
-
名取 晃子
電気通信大学
関連論文
- νMOSセルオートマトンを用いたカオス暗号処理回路
- 22pTA-12 グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス(22pTA 領域7,領域4合同 グラフェン・電子物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
- アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
- GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態
- 21aTG-9 酸素吸着グラフェンの構造双安定性の第一原理計算(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
- Ge/Si(113)-2×2表面の構造安定性と応力異方性
- Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
- 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
- 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
- 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
- 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
- 24pPSA-55 Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの成長ダイナミクス
- 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
- 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
- C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 3p-B4-5 グラファイト(0001)表面におけるセシウム吸着状態のLEED,AESによる測定
- 29a-G-1 Cs吸着グラファイト表面のC KVV オージェスペクトル
- 2a-E-7 セシウム吸着グラファイト表面のLEED像
- 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
- 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
- 29a-O-7 CO_2レーザ蒸着炭素膜のRamanスペクトル
- 30a-Y-13 グラファイト-セシウム吸着系のLEED, AES, 仕事関数の測定
- 31a-S-1 フタロシアニンの電気伝導電界効果
- 2p-G-12 鉛フタロシアニンの電気伝導電界効果
- 3p-N-15 高磁場における熱分解黒鉛のC軸電気伝導
- 8a-B-2 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導-II
- 6a-N-11 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導 II
- 1p-TC-13 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導
- 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
- 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
- 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
- 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
- 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
- 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
- 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
- 2p-M-2 鉛フタロシアニン非結晶質薄膜の結晶化とその光学的性質
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- 5p-E-11 Si(111)ステップ表面のLEEDによる研究
- 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
- 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
- 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
- 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
- 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
- 28a-T-10 Si表面上のヒロック/クレーター修復過程とステップ構造の相関
- 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 4a-M-2 鉛フタロシアニンの光学的性質
- 30p-E-2 鉛フタロシアニンの光学的および電気的性質
- 8p-C-17 フタロシアニン単結晶の光学的性質 V
- 3p-K-10 フタロシアニン単結晶の光学的性質IV
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
- 2a-YF-11 Au微小被覆条件下のSi(111)面の表面エレクトロマイグレーション
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 31a-T-4 Si(001)面欠損ダイマー列構造の形成過程
- 10a-S-8 鉛フタロシアニンの電気伝導の異方性と不純物効果
- 29a-YQ-9 異方的調和型量子ドットの多電子相関効果
- 29a-K-8 量子井戸内D^-イオンの磁気吸収スペクトル
- 12a-DE-2 量子井戸内D^-イオンのシュタルク効果
- 3a-J-9 √3×√3Ag/Si(111)と7×7Si(111)上のAg原子構造
- 31p-PSB-26 Si(100)面欠損ダイマー構造のストレイン依存性
- 30p-G-5 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程 III
- 28a-Z-13 アルカリハライド(001)面上アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZF-12 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程(II)
- 30p-BPS-16 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZD-3 Si(100)ステップ面上SiMBEの通電効果
- 27p-R-2 Si(100)面ステップダイナミクスの通電効果
- 半導体表面におけるエレクトロマイグレーション
- 5p-W-11 fcc(111)金属表面原子動力学の計算機シミュレーション
- 4a-T-8 半導体表面におけるヘテロエレクトロマイグレーション
- 4a-B4-10 アニーリングによるヘテロ薄膜緩和の計算機シミュレーション
- 新しい型のエレクトロマイグレ-ション--Si(111)上Ag層の場合
- 25a-K-10 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果. I
- 1p-TC-12 グラファイトにおける磁気抵抗の磁場依存性
- グラファイトのplaner Hall effect : 半導体 (半金属)
- 6p-R-9 鉛フタロツアニン-ヨウ素系の光学的および電気的性質
- 12p-N-7 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果.III
- 25a-K-11 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果. II
- 8p-C-18 フタロシアニンの光伝導
- 2p-TB-9 銅フタロシアニン単結晶の光学的性質 III
- 15a-C-4 銅フタロシアニン単結晶の光学的性質 III
- 15p-A-22 黒鉛化によるグラファイトの半導体-金属遷移の様相
- 28p-D-9 分布を持ったステップのある表面のLEED-パターン
- 3p-F4-3 Si上金属層のエレクトロマイグレーションと構造(表面・界面)
- 31a-F4-3 薄膜成長の計算機シミュレーション(表面・界面)
- 25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30p-TG-10 Cu(100)面上のIn微小クラスタ動力学の計算機シミュレーション(30pTG 表面・界面)
- 29a-TJ-10 交流通電によるSi(111)上Ag層の広がり(29aTJ 表面・界面)
- 28a-TG-12 Cs/グラファイト(0001)のLEEDによる観察(28aTG 表面・界面)
- 31a-E2-13 グラファイト・セシウム吸着系の仕事関数と電子的性質(31a E2 表面・界面,量子エレクトロニクス)