5p-E-11 Si(111)ステップ表面のLEEDによる研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
関連論文
- νMOSセルオートマトンを用いたカオス暗号処理回路
- 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
- アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
- 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
- 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
- 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
- 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
- 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
- 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
- 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
- C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 3p-B4-5 グラファイト(0001)表面におけるセシウム吸着状態のLEED,AESによる測定
- 29a-G-1 Cs吸着グラファイト表面のC KVV オージェスペクトル
- 2a-E-7 セシウム吸着グラファイト表面のLEED像
- 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
- 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
- 29a-O-7 CO_2レーザ蒸着炭素膜のRamanスペクトル
- 30a-Y-13 グラファイト-セシウム吸着系のLEED, AES, 仕事関数の測定
- 31a-S-1 フタロシアニンの電気伝導電界効果
- 2p-G-12 鉛フタロシアニンの電気伝導電界効果
- 3p-N-15 高磁場における熱分解黒鉛のC軸電気伝導
- 8a-B-2 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導-II
- 6a-N-11 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導 II
- 1p-TC-13 熱分解黒鉛におけるC軸方向の電気伝導
- 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
- 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
- 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
- 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
- 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
- 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
- 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
- 2p-M-2 鉛フタロシアニン非結晶質薄膜の結晶化とその光学的性質
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- 5p-E-11 Si(111)ステップ表面のLEEDによる研究
- 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
- 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
- 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
- 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
- 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
- 28a-T-10 Si表面上のヒロック/クレーター修復過程とステップ構造の相関
- 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 4a-M-2 鉛フタロシアニンの光学的性質
- 30p-E-2 鉛フタロシアニンの光学的および電気的性質
- 8p-C-17 フタロシアニン単結晶の光学的性質 V
- 3p-K-10 フタロシアニン単結晶の光学的性質IV
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
- 2a-YF-11 Au微小被覆条件下のSi(111)面の表面エレクトロマイグレーション
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 31a-T-4 Si(001)面欠損ダイマー列構造の形成過程
- 10a-S-8 鉛フタロシアニンの電気伝導の異方性と不純物効果
- 29a-YQ-9 異方的調和型量子ドットの多電子相関効果
- 29a-K-8 量子井戸内D^-イオンの磁気吸収スペクトル
- 12a-DE-2 量子井戸内D^-イオンのシュタルク効果
- 3a-J-9 √3×√3Ag/Si(111)と7×7Si(111)上のAg原子構造
- 31p-PSB-26 Si(100)面欠損ダイマー構造のストレイン依存性
- 30p-G-5 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程 III
- 28a-Z-13 アルカリハライド(001)面上アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZF-12 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程(II)
- 30p-BPS-16 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZD-3 Si(100)ステップ面上SiMBEの通電効果
- 27p-R-2 Si(100)面ステップダイナミクスの通電効果
- 半導体表面におけるエレクトロマイグレーション
- 5p-W-11 fcc(111)金属表面原子動力学の計算機シミュレーション
- 4a-T-8 半導体表面におけるヘテロエレクトロマイグレーション
- 4a-B4-10 アニーリングによるヘテロ薄膜緩和の計算機シミュレーション
- 新しい型のエレクトロマイグレ-ション--Si(111)上Ag層の場合
- 25a-K-10 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果. I
- 1p-TC-12 グラファイトにおける磁気抵抗の磁場依存性
- グラファイトのplaner Hall effect : 半導体 (半金属)
- 6p-R-9 鉛フタロツアニン-ヨウ素系の光学的および電気的性質
- 12p-N-7 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果.III
- 25a-K-11 鉛フタロシアニンの輸送現象における雰囲気効果. II
- 8p-C-18 フタロシアニンの光伝導
- 2p-TB-9 銅フタロシアニン単結晶の光学的性質 III
- 15a-C-4 銅フタロシアニン単結晶の光学的性質 III
- 15p-A-22 黒鉛化によるグラファイトの半導体-金属遷移の様相
- 28p-D-9 分布を持ったステップのある表面のLEED-パターン
- 3p-F4-3 Si上金属層のエレクトロマイグレーションと構造(表面・界面)
- 31a-F4-3 薄膜成長の計算機シミュレーション(表面・界面)
- 25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30p-TG-10 Cu(100)面上のIn微小クラスタ動力学の計算機シミュレーション(30pTG 表面・界面)
- 29a-TJ-10 交流通電によるSi(111)上Ag層の広がり(29aTJ 表面・界面)
- 28a-TG-12 Cs/グラファイト(0001)のLEEDによる観察(28aTG 表面・界面)
- 31a-E2-13 グラファイト・セシウム吸着系の仕事関数と電子的性質(31a E2 表面・界面,量子エレクトロニクス)