名取 晃子 | 電通大
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概要
関連著者
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名取 晃子
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安永 均
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坂本 克好
電通大
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鎌田 丈良夫
電気通信大学電子工学科
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朝岡 隆
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杉本 有一郎
電通大
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高瀬 賢順
電通大
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中村 大亮
電通大
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名取 晃子
電通大・電子
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安永 均
電通大・電子
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大野 隆央
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太田 聡
電通大
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物材機構
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原田 博司
電通大
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長内 理尚
電通大
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大沼 伸
電通大
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呉 南健
電通大
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金山 清次
電通大
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構
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大竹 晃浩
独立行政法人 物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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新井 崇之
電通大
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新田 敏浩
電通大
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安島 裕恵
電通大
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馬場 雅廣
電通大
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押山 淳
東大院工
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長谷川 修司
東大理
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大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
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奥山 直樹
電気通信大学
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名取 研二
筑波大学物理光学系
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中山 隆史
千葉大理
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中山 隆史
千葉大学理学部
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戸田 健太郎
電通大
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名取 研二
筑波大物工
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鈴木 利哉
電通大
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田中 秋彦
電通大
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中山 隆史
千葉大学
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塚本 史郎
物質・材料研究機構
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河野 勝泰
電通大電子
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菅 信朗
電気通信大学
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大野 剛史
電通大
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安岡 毅
電通大
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瀬下 裕也
電通大
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名取 研二
筑波大 物工
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西山 龍一
電通大・電子
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村山 正彦
電通大・電子
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大坪 弘幸
電通大
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梅内 芳浩
電通大
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藤村 博紀
電通大
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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福田 守
電通大
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大野 隆央
東大生研
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小口 信行
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小口 信行
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中山 隆史
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Kocan P.
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平山 基
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石丸 康之
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鎌田 丈良夫
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馬場 雅広
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前野 昌志
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程原 政信
電通大
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杉田 充
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伊藤 哲朗
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丸山 信之
電通大
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山崎 正日登
電通大
著作論文
- 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
- アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
- 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
- 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
- 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
- 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
- Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
- 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
- 28pTA-10 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造変化機構II
- 28pTA-9 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクスII
- 27aTB-11 磁場下量子ドット荷電励起子のルミネッセンス
- 24pPSA-55 Si(100)面の異方的欠損ダイマークラスタの成長ダイナミクス
- 24pPSA-54 Si(100)面の欠損ダイマー近傍のダイマーバックリングダイナミクス
- 25pT-4 Si(111)成長表面におけるAu薄膜のサーファクタント効果
- 25aK-9 量子ドット荷電励起子の磁場効果
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算機
- 27aW-5 Si(111)面上におけるAu超薄膜の電子構造と電荷移動の第一原理計算
- 24pW-16 Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップと構造変化機構
- 24aW-8 O/Cu(100)のナノドメイン構造と揺らぎ
- 25pD-7 Charged Magnetoexcitons in Parabolic Quantum Dots
- C-10-15 結合量子ドット人工分子を用いた量子計算
- 28p-YM-1 Si(001)面上異方的欠損ダイマークラスタの安定性
- 21pWH-12 In被覆Au探針を用いたエレクトロマイグレーションの観察(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pPSB-69 UHV-SEM を用いた Vicinal Si(001) 表面エレクトロマイグレーションのその場観察
- 30a-TA-12 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーションII
- 4a-T-6 Siステップ表面におけるAgのエレクトロマイグレーション
- 3p-E-4 単原子層の反電場効果
- 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
- 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
- Si(111)面の表面融解
- 29a-J-1 高温1×1-Si(111)面のSi(111)面の表面原子構造
- 24a-PS-31 半導体上金属超薄膜のエレクトロマイグレーションIII
- 5a-ps-23 Ag/Si(111)の表面エレクトロマイグレーションによるAg原子輸送過程
- 30a-TA-11 Ag/Si(111)のAg原子輸送過程
- 3a-Q-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究III
- 14p-DJ-4 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究II
- 28a-ZS-11 Si(111)微斜面ステップ構造相転移の研究
- 21aPS-51 原子レベルの摩擦機構(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXD-9 BNリボンの磁性II(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-81 BN リボンの磁性(領域 9)
- 15aPS-10 ヘテロ基板上原子クラスタのマジックサイズと摩擦(領域 9)
- 15aPS-9 超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性(領域 9)
- 30aWP-5 Si超薄膜の誘電特性(ナノ構造量子物性)(領域9)
- 29pYA-7 2重量子ドットのスピン結合(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
- 30pZP-11 2 重量子ドットのスピン結合制御
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- Si(111)微傾斜ステップ面上のAg及びInの異方的質量輸送
- 31a-PS-24 Si(001)微斜面におけるIn薄膜の質量輸送
- 2p-PSA-9 Si(001)微斜面におけるInの質量輸送 II
- 28p-WC-5 SI(001) 上 Inの表面拡散とエレクトロマイグレーション
- 29p-PSB-12 Si(001)表面におけるInの質量輸送
- 30p-BPS-17 SOIの表面エレクトロマイグレーション
- 28a-T-10 Si表面上のヒロック/クレーター修復過程とステップ構造の相関
- Simulated Annealingの有効冷却スケジュ-ルとレンジリミタ-の設計
- 5a-Q-8 KCl/KBrヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態の磁場効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動:電界・磁界効果
- 29a-M-13 原子鎖上の電子波束の運動 : 電界・磁界効果
- TSP(巡回セ-ルスマン問題)のHopfieldモデルによる解法の効率化
- 原子鎖の電子波透過スペクトル
- 原子鎖の電子波透過スペクトル
- 2a-YF-11 Au微小被覆条件下のSi(111)面の表面エレクトロマイグレーション
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 7a-N-2 量子ドットの多電子基底状態の磁場転移
- 31a-T-4 Si(001)面欠損ダイマー列構造の形成過程
- 1a-E-4 3次元異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態
- 29a-YQ-9 異方的調和型量子ドットの多電子相関効果
- 29a-K-8 量子井戸内D^-イオンの磁気吸収スペクトル
- 12a-DE-2 量子井戸内D^-イオンのシュタルク効果
- 3a-J-9 √3×√3Ag/Si(111)と7×7Si(111)上のAg原子構造
- 31p-PSB-26 Si(100)面欠損ダイマー構造のストレイン依存性
- 30p-G-5 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程 III
- 28a-Z-13 アルカリハライド(001)面上アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZF-12 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程(II)
- 30p-BPS-16 アルカリハライドのヘテロエピタキシャル成長の初期過程
- 27a-ZD-3 Si(100)ステップ面上SiMBEの通電効果
- 27p-R-2 Si(100)面ステップダイナミクスの通電効果
- 5p-W-11 fcc(111)金属表面原子動力学の計算機シミュレーション
- 4a-B4-10 アニーリングによるヘテロ薄膜緩和の計算機シミュレーション
- 28p-D-8 吸着子表面拡散とパターン形成 II
- 4a-Q-7 吸着子表面拡散とパターン形成
- 25p-YG-10 量子ドット多電子状態の磁場効果II
- 25p-YG-10 量子ドット多電子状態の磁場効果II
- 28p-D-9 分布を持ったステップのある表面のLEED-パターン
- 2011年5月の随想
- 29a-WB-8 ステップ面での表面拡散 : ゆらぎ効果
- 14p-DJ-3 Si(111)面ステップダイナミクスの通電効果
- 29p-H-5 ステップ面の表面拡散
- 26a-G-13 強磁場下D^--イオンの遠赤外スペクトロスコピー
- 吸着子表面拡散とパターン形成(V理論II,相転移における秩序形成過程の動力学,科研費研究会報告)
- 7aSM-1 GaAs(001)-c(4×4)表面に対する新たな構造モデルの提唱(表面界面構造・電子物性,領域9)
- 7pPSB-20 2重量子ドットの多粒子状態(領域4)
- 3p-F4-3 Si上金属層のエレクトロマイグレーションと構造(表面・界面)
- 31a-F4-3 薄膜成長の計算機シミュレーション(表面・界面)
- 25pPSB-43 Si(100)面のダイマーバックリングダイナミクス(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-60 不均一表面層の2端子間2次元電流分布(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 1a-E-4 3次元異方的調和型量子ドットの多電子束縛状態(1aE 半導体,低温合同(量子細線,メゾスコピック),低温)
- 30p-TG-10 Cu(100)面上のIn微小クラスタ動力学の計算機シミュレーション(30pTG 表面・界面)
- 29a-TJ-10 交流通電によるSi(111)上Ag層の広がり(29aTJ 表面・界面)
- 31a-E2-13 グラファイト・セシウム吸着系の仕事関数と電子的性質(31a E2 表面・界面,量子エレクトロニクス)