30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1983-03-11

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 大野 隆央

  東大理

• 大野 隆央

  Ntt基礎研究所

• 押山 淳

  東大理

• 名取 晃子

  電通大

• 名取 晃子

  電通大工

関連論文

• 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20pHT-7 シリコン中多原子空孔の大規模第一原理計算(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pPSA-11 Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pEL-5 ハイブリッド汎関数近似法による窒化物半導体の構造定数とバンドギャップ(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aRC-4 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算3(28aRC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20pVC-14 DNAの構造と電子状態に対するオーダーN法第一原理計算2(20pVC 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 金属性高分子結晶(SN)xのバンド構造とその物性
• 5p-B-11 アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関II
• アルカリハライドの格子不整合とヘテロエピタキシャル成長モードの相関
• 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
• 6p-A2-2 III-IV-V-VI系超格子のバンド構造
• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-8 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン結晶内欠陥の拡散現象の再評価(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-106 金属電極に挟まれた1次元分子列の電気伝導特性(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-102 ファンデルワールス密度汎関数を用いた1次元鎖状有機物質の第一原理計算(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 4a-KH-10 GICの軌道帯磁率
• 24aTE-11 HSE-LCハイブリッド汎関数による強相関電子系の磁気秩序とバンドギャップ(24aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYE-11 眉間相互作用によるカーボンナノチューブ原子空孔の再構成転移(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12p-E-8 インターカレーション化合物 8. : 層間電荷分布と磁気的性質
• 12a-E-3 グラファイト層間化合物の面内構造
• 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造とC軸方向電荷分布(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
• 3p-NL-2 高ステージ・グラファイト層間化合物の電子構造2.σバンドを含めた理論
• 31p-K-14 高ステージ・グラファイト層間化合物の密度汎関数法によるバンド計算
• 29a-E-3 リチウム・グラファイト層間化合物CbLiの電子構造
• 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
• 29p-D-11 自己無撞着LCAO法による(SN)_xのバンド計算
• 22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aPS-124 グラフェンのバリスティック熱伝導特性(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 15pXG-4 As 安定化 GaAs(001)-c(4×4) 表面における安定および準安定構造(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 30p-S-9 Si(111)面の表面融解 : ストレイン依存性
• 28p-YM-2 Si(111)微斜面の表面融解II
• 5a-H-8 Si(111)微斜面における表面融解
• 31a-Z-9 GaAsにおけるDXセンターの最適原子配置
• 28pPSB-27 GaAs(001)-c(4x4) 表面上における Ga-As dimer の欠陥構造
• 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
• 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
• 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
• 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
• 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
• 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
• 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
• 1p-T-3 半導体中の水素分子の振動数に関する非経験的計算
• Si(111)微斜面の表面エレクトロマイグレーション誘起ステップ構造転移(結晶成長理論の最近の動向)
• 29pPSA-38 Si(111)-"1×1"面上のSi Adatomのダイナミクス
• 26aYH-12 分子架橋系の伝導特性に対する分子電極間相互作用の役割(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-15 第一原理計算によるビフェニル分子架橋系の伝導特性(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pXA-12 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 分子電極間相互作用の役割(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pRJ-5 金電極に挟まれたビフェニル分子の伝導特性 : 接続原子依存性(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aRA-13 カーボンナノチューブ内の強誘電的液体状の水(24aRA ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
• 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
• 3a-C-15 (GaAs)_1/(Ge_2)_1単原子層超格子の電子構造
• 6p-A2-8 (InAs)_1(GaAs)_1単原子層超格子の構造安定性
• 3p-E-4 単原子層の反電場効果
• 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
• 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
• 23aYH-5 光誘起相転移現象を示すスピンクロスオーバー系の弾性相互作用モデルによる緩和現象の解析(光誘起相転移,他,領域5,領域7合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
• 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
• 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aYB-12 カーボンナノチューブ内氷結晶の構造とエネルギー論(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aXT-4 シリコン結晶中の複原子空孔の生成メカニズム : O(N)タイトバインディング法によるシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
• 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
• 25pW-7 グラファイトネットワークにおける表面状態 : カーボンからヘテロ系まで
• 藤原毅夫, 固体電子構造:物質設計の基礎, 朝倉書店, 東京, 1999, vi+214p., 21.5×15cm, \4,000, [大学院向,専門書]
• 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
• 30a-YK-10 Si結晶中の多原子空孔の魔法数 : tight-binding計算
• 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
• 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
• 28a-WC-6 Si(100)面のステップ構造と{311}ファセット出現の機構
• 歪超格子の電子構造
• 31p-E-16 擬一次元伝導体Nb_3X_4のバンド構造
• 1a-S-1 (SN)_x及び(SNBr_y)_xの光吸収スペクトル
• 31a-YX-1 グラファイトシートの折れ曲がりと歪み
• ステップを含むGaAs(001)面の第一原理計算
• 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pBB-1 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン(100)表面における初期酸化過程の解析(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aSB-8 グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pSB-11 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXZA-2 SiC(0001)表面におけるステップ構造の第一原理計算(28pXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXP-14 第一原理計算によるSi(001)ステップ表面上のカーボンナノチューブ配置の直径依存性の研究(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pXP-8 変形したカーボンナノチューブの第一原理計算(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 31p-G-1 GaAs中のDXセンターの圧力依存性(31pG 半導体(深い不純物))
• 31p-G-2 DXセンターによる永続光電流の一モデル(31pG 半導体(深い不純物))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク