27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_<10>の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 2009-03-03

著者

• 押山 淳

  東大院工

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 押山 淳

  東京大学大学院工学系研究科

• 内田 和之

  東京大学大学院工学系研究科

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