25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-09-10
著者
-
押山 淳
東大院工
-
岡田 晋
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
-
押山 淳
筑波大学物理学系・計算物理学研究センター
-
押山 淳
筑波大学物理学系
-
岡田 晋
筑波大学物理学系:計算物理学研究センター
関連論文
- 21pGP-2 微傾斜SiC(0001)表面上グラフェンの安定構造と電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aRB-12 シリコン結晶中の格子欠陥V_の原子構造と電子構造の第一原理的研究(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20pEL-5 ハイブリッド汎関数近似法による窒化物半導体の構造定数とバンドギャップ(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24aRA-11 ナノグラファイトのエネルギー論 : 端形状と電子状態(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 15aTB-2 TC-VMC 法による He 原子の励起状態計算(電子系 : 第一原理計算, 領域 11)
- 26aWZ-8 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン結晶内欠陥の拡散現象の再評価(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 24aTE-11 HSE-LCハイブリッド汎関数による強相関電子系の磁気秩序とバンドギャップ(24aTE 電子系,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 21pPSA-24 h-BNシート中の原子空孔のエネルギー論(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYE-11 眉間相互作用によるカーボンナノチューブ原子空孔の再構成転移(ナノチューブ物性,領域7,分子性固体・有機導体)
- 30aVE-4 窒化ガリウム複空孔におけるスピン分極と構造緩和の第一原理計算(30aVE 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
- 28aT-8 メチル基で終端されたGaAs表面の第一原理計算
- 8a-S-5 希土類系酸硫化物中の格子欠陥の電子構造計算
- 31a-E-1 希土類系酸硫化物中の点欠陥の電子構造計算
- 希土類系酸硫化物の電子構造計算
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 19aXA-5 トポロジカルな線状欠陥を持つナノチューブの電子構造とエネルギー論(ナノチューブ電子物性・構造,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28a-S-8 LDA and GGA calculations on clean diamond(111)surface
- 27a-N-9 Si中多原子空孔における陽電子寿命の計算
- 30p-YM-12 MgドープしたGaNの第一原理計算
- 29p-YL-2 化合物半導体中のDXセンター
- 3a-J-3 Si中複原子空孔における共鳴ボンド
- 12a-DF-6 GaAs中DXセンターにおけるsp^混成型原子配置
- 28a-K-11 半導体における陽電子消滅確率の第一原理計算
- 1p-T-3 半導体中の水素分子の振動数に関する非経験的計算
- 21aXA-1 ナノ・キャパシタの電気容量における静電遮蔽の効果(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
- 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
- 13p-Y-8 グラファイト表面上アルカリ原子吸着系の全エネルギー
- 30a-Y-14 グラファイト(001)面・アルカリ原子吸着系の電子状態
- 28aUA-6 フラーレン内包が誘起するナノチューブRBMシフト(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-14 アルカリドープpeapodの電子構造とエネルギー論(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aYK-9 窒化物半導体における陽イオン空孔による磁性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aYB-12 カーボンナノチューブ内氷結晶の構造とエネルギー論(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aXT-4 シリコン結晶中の複原子空孔の生成メカニズム : O(N)タイトバインディング法によるシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
- 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
- 25pW-7 グラファイトネットワークにおける表面状態 : カーボンからヘテロ系まで
- 藤原毅夫, 固体電子構造:物質設計の基礎, 朝倉書店, 東京, 1999, vi+214p., 21.5×15cm, \4,000, [大学院向,専門書]
- 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
- 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
- SiO2/Si界面におけるSi2p内殻準位の結晶場分裂--高分解XPS構造解析の可能性
- 1p-TA-5 Si(100)表面上のO_2分子の解離
- 4a-T-2 Si(100)表面上の酸素吸着II : 局所密度汎関数法による全エネルギーと力の計算
- 4a-B4-9 Si(100)表面への酸素吸着 : 局所密度汎関数法による全エネルギーの計算
- 30a-YK-10 Si結晶中の多原子空孔の魔法数 : tight-binding計算
- 27a-ZG-18 GaAs中DXセンターに対する3配位モデルの妥当性
- 29p-W-7 GaAs中Si不純物の問題におけるstate-of the-art techniqueの評価
- 28a-WC-6 Si(100)面のステップ構造と{311}ファセット出現の機構
- 18aTJ-10 多層BNナノチューブの層間相互作用と電子構造
- 28aYX-3 C_内包ナノチューブのエネルギー論と電子状態
- 26aF-6 カーボンナノチューブ結晶の電子状態における配向の効果
- 28a-XA-12 新しい高圧誘起ポリマー相の合成可能性 : 3次元C_ポリマーの構造と電子状態
- 31a-YX-1 グラファイトシートの折れ曲がりと歪み
- ステップを含むGaAs(001)面の第一原理計算
- 28aTH-8 Si(001)ステップ表面におけるカーボンナノチューブの構造及び電子状態(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aTH-7 密度汎関数理論で解明するSiナノワイヤーの断面形状と電子状態の解明(28aTH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pRA-4 ナノスケール炭素物質の電子状態 : ネットワークと階層構造(若手奨励賞受賞記念講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pYB-9 分子内包ナノチューブの理論(23pYB 領域7シンポジウム:複合体化ナノチューブ様物質の可能性(吸着・結合・内包,テンプレート),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYB-4 高密度原子欠陥を持つナノチューブの欠陥自己修復(25aYB チューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 28a-D-9 シリコン中不純物の拡散
- 31a-Z-8 シリコン中のdivacancyの電子構造
- 29p-W-8 シリコン中III族・V族不純物拡散の理論 II : ケミカルトレンド
- 28a-C-3 Si中の不純物拡散と電子構造 : 圧力効果
- 半導体中の点欠陥--構造,拡散,電子状態
- 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用
- 22aTM-11 sp^3ネットワークの積層構造とバンドギャップの関係の密度汎関数理論に基づく解明(22aTM 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Siエピタキシャル成長の第一原理計算 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 水素化Si(100)面上のステップ構造とIV族アドアトムの拡散
- 第一原理計算で探る半導体エピタキシャル成長
- 26pBB-1 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン(100)表面における初期酸化過程の解析(26pBB 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aSB-8 グラフェンナノリボンの形状と電子状態の相関(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pSB-11 密度汎関数理論に基づくSiC表面におけるグラフェン形成過程の研究(26pSB 領域7,領域9合同 グラフェン(分光),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pCJ-10 SiC超格子における電子閉じ込め効果の第一原理計算(26pCJ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 計算物質科学:量子論に基づくシミュレーション
- 23pYP-1 シリコンの点欠陥の原子構造はどこまで解明されたか?
- 原子拡散のミクロな機構
- SK3 半導体エピタキシャル成長の機構 : 第一原理計算からのアプローチ
- 半導体表面の成長機構と第一原理計算
- 7p-E-9 SiO_2の酸素空孔の双安定性と絶縁性劣化
- シリコン結晶中の原子空孔
- SiO_2中の酸素空孔 : 負の電子相関系
- 薄膜のモフォロジーと原子反応の素過程(エピタキシャル成長の量子論)
- 2p-YA-2 半導体表面反応の理論
- 2p-M-10 理論家の立場から
- 28pXZA-2 SiC(0001)表面におけるステップ構造の第一原理計算(28pXZA 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pXP-14 第一原理計算によるSi(001)ステップ表面上のカーボンナノチューブ配置の直径依存性の研究(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXP-8 変形したカーボンナノチューブの第一原理計算(26pXP ナノチューブ(構造・電子物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- 7pSD-3 ナノチューブ状物質 : 理論的立場から : 空隙の誘起する特異な電子構造(主題:ナノチューブ状物質の最近の話題 : これから始める人へのチュートリアルも兼ねて,領域7シンポジウム,領域7)
- 24aYF-8 Si(111)表面上に構築されたネットワーク構造における磁性(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pXN-8 ナノチューブ断片の電子構造(25pXN ナノチューブ・グラファイト関連(理論),領域7(分子性固体・有機導体分野))