希土類系酸硫化物の電子構造計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
関連論文
- 22aYD-7 金属, 半導体表面における非局在表面状態
- 24pSB-1 TiO_2多相に関する第一原理電子構造計算
- 28aT-8 メチル基で終端されたGaAs表面の第一原理計算
- 29aYD-12 固体中でフォトクロミズムを示すジアリールエテン系分子結晶の第一原理計算
- 不均一系反応の非経験的シミュレーション
- 8a-S-5 希土類系酸硫化物中の格子欠陥の電子構造計算
- 31a-E-1 希土類系酸硫化物中の点欠陥の電子構造計算
- 希土類系酸硫化物の電子構造計算
- Siダングリングボンドネットワークにおける磁性の理論
- 30aWE-5 密度汎関数理論に基づくポリグリシンおよびチトクロム酸化酵素の電子構造(生物理一般)(領域12)
- 第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
- SiO_2中のB拡散の第一原理計算(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 22aXF-12 C_-peapod の電子状態と安定性
- 29aZB-10 ピーポッドの安定性と電子状態
- 24aYN-6 金属表面上に吸着されたナノチューブの電子構造(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 29aZB-9 空隙充填によるチューブ電子構造制御
- 25pWD-15 BN-グラファイト界面における強磁性状態
- 27pW-5 Si(001)面上のGa細線による強磁性状態
- 26p-P-1 水素化シリコン表面 : 拡散と動的過程
- 25p-PS-59 酸化に伴うSi2p準位の変化
- 25p-PS-58 極度にミスマッチなSi/SiO_2界面での結晶化SiO_2の存在
- SiO2/Si界面におけるSi2p内殻準位の結晶場分裂--高分解XPS構造解析の可能性
- 1p-TA-5 Si(100)表面上のO_2分子の解離
- 4a-T-2 Si(100)表面上の酸素吸着II : 局所密度汎関数法による全エネルギーと力の計算
- 4a-B4-9 Si(100)表面への酸素吸着 : 局所密度汎関数法による全エネルギーの計算
- 18aTJ-10 多層BNナノチューブの層間相互作用と電子構造
- 28aYX-3 C_内包ナノチューブのエネルギー論と電子状態
- 26aF-6 カーボンナノチューブ結晶の電子状態における配向の効果
- 28a-XA-12 新しい高圧誘起ポリマー相の合成可能性 : 3次元C_ポリマーの構造と電子状態
- 28a-D-9 シリコン中不純物の拡散
- 31a-Z-8 シリコン中のdivacancyの電子構造
- 29p-W-8 シリコン中III族・V族不純物拡散の理論 II : ケミカルトレンド
- 28a-C-3 Si中の不純物拡散と電子構造 : 圧力効果
- 半導体中の点欠陥--構造,拡散,電子状態
- 24a-M-6 共役勾配法を用いたバンド計算法とそのSi Vacancy Migration Processへの応用
- Siエピタキシャル成長の第一原理計算 : 結晶成長の理論(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 水素化Si(100)面上のステップ構造とIV族アドアトムの拡散
- 第一原理計算で探る半導体エピタキシャル成長
- 計算物質科学:量子論に基づくシミュレーション
- 23pYP-1 シリコンの点欠陥の原子構造はどこまで解明されたか?
- 原子拡散のミクロな機構
- SK3 半導体エピタキシャル成長の機構 : 第一原理計算からのアプローチ
- 半導体表面の成長機構と第一原理計算
- 7p-E-9 SiO_2の酸素空孔の双安定性と絶縁性劣化
- シリコン結晶中の原子空孔
- SiO_2中の酸素空孔 : 負の電子相関系
- 薄膜のモフォロジーと原子反応の素過程(エピタキシャル成長の量子論)
- 2p-YA-2 半導体表面反応の理論
- 2p-M-10 理論家の立場から
- 24aYF-8 Si(111)表面上に構築されたネットワーク構造における磁性(24aYF 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pXN-8 ナノチューブ断片の電子構造(25pXN ナノチューブ・グラファイト関連(理論),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 6aSD-6 固体中でフォトクロミズムを示すサリチリデンアニリン誘導体の第一原理計算(中性イオン性転移・フィリング制御,領域7)