第一原理計算で探る半導体エピタキシャル成長
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概要
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結晶の美しさは大昔から人々を魅了してきた. ある場合にはそれは完全無欠の美であり, またある場合には予期せぬ形態(モルフォロジー)への驚きであった. 今日の結晶成長技術, 特に半導体エピタキシャル成長技術の発展により, こうした驚きは実験室において日々経験されるようになってきた. そもそも結晶成長は, 物質と気相ないしは液相との境界(すなわち表面・界面)における原子反応の所産である. だとするなら, 原子反応を記述する量子力学により, 結晶の形態形成のからくりが解明できるはずである. 本稿は, そうした量子論によるエピタキシャル成長の機構解明に向けた試みの紹介であり, またこの始まったばかりの分野への招待状である.
- 1999-12-05
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