28aT-8 メチル基で終端されたGaAs表面の第一原理計算

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 三上 昌義

  三菱化学科技研センター

• 中村 振一郎

  地球快適化インスティテュート:三菱化学科学技術研究センター

• 三上 昌義

  JST-CREST

• 押山 淳

  筑波大学物理学系・計算物理学研究センター

• 三上 昌義

  三菱化学(株)横浜総合研究所

• 中村 振一郎

  三菱化学(株)横浜総合研究所

• 押山 淳

  筑波大学物理学系

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