SK3 半導体エピタキシャル成長の機構 : 第一原理計算からのアプローチ
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概要
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I review microscopic calculations that reveal elementary atomic processes in semiconductor epitaxial growth. The calculations are based on the density functional theory with the local density approximation (LDA) or the generalized gradient approximation (GGA). I try to convince you that the first-principles calculations are powerful tools to clarify the mechanisms of epitaxial growth. Adsorption and diffusion of a Si adatom on the terrace and near the steps on Si(100) surfaces are mainly discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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