第一原理計算によるZrB_2基板上GaNエピタキシャル成長の理論的研究(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 2003-06-25

著者

• 岩田 潤一

  筑波大計科セ

• 押山 淳

  東大物工

• 白石 賢二

  筑波大院数物

• 白石 賢二

  筑波大計科セ

• 白石 賢二

  筑波大学物理学系

• 押山 淳

  筑波大学物理学系・計算物理学研究センター

• 押山 淳

  筑波大学物理学系

• 岩田 潤一

  産業技術総合研究所ナノ機能合成技術プロジェクト研究体研究コンソーシアム(SYNAF AIST)

• 岩田 潤一

  筑波大計算センター:crest

• 白石 賢二

  Crest:筑波大数理物質

• 岩田 潤一

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

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